| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 选题背景与研究意义 | 第18-20页 |
| 1.3 国内外研究进展 | 第20-23页 |
| 1.3.1 含InGaN的双异质结HEMTs研究进展 | 第20-21页 |
| 1.3.2 常关型HEMTs研究进展 | 第21-23页 |
| 1.4 本文研究内容与结构 | 第23-25页 |
| 第二章 异质结研究与器件制备方法 | 第25-37页 |
| 2.1 异质结结构研究 | 第25-32页 |
| 2.1.1 AlGaN/InGaN/GaN双异质结仿真 | 第25-28页 |
| 2.1.2 InAlGaN/GaN异质结计算 | 第28-32页 |
| 2.2 自主研发的生长设备和PMOCVD生长方式 | 第32-33页 |
| 2.3 器件制作流程 | 第33-37页 |
| 第三章 异质结材料研制与特性表征 | 第37-57页 |
| 3.1 InAlGaN/GaN异质结材料生长及分析 | 第37-46页 |
| 3.1.1 材料生长 | 第37-40页 |
| 3.1.2 表面形貌表征 | 第40-41页 |
| 3.1.3 结晶质量表征 | 第41-44页 |
| 3.1.4 电学特性表征 | 第44-46页 |
| 3.2 AlGaN/InGaN/GaN双异质结材料生长及分析 | 第46-55页 |
| 3.2.1 材料生长 | 第46-48页 |
| 3.2.2 表面形貌表征 | 第48-49页 |
| 3.2.3 结晶质量表征 | 第49-53页 |
| 3.2.4 电学特性表征 | 第53-55页 |
| 3.3 本章总结 | 第55-57页 |
| 第四章 不同异质结材料的器件研制 | 第57-79页 |
| 4.1 器件制备工艺研究 | 第57-59页 |
| 4.1.1 欧姆接触 | 第57-58页 |
| 4.1.2 肖特基接触 | 第58-59页 |
| 4.2 AlGaN/InGaN/GaN双异质结HEMTs器件的特性研究 | 第59-69页 |
| 4.2.1 器件直流和频率特性 | 第60-64页 |
| 4.2.2 器件高温特性 | 第64-69页 |
| 4.3 常关型InAlGaN/GaN HEMTs器件的特性研究 | 第69-76页 |
| 4.3.1 器件直流特性 | 第70-71页 |
| 4.3.2 器件电流崩塌特性的研究 | 第71-76页 |
| 4.4 本章总结 | 第76-79页 |
| 第五章 结论与展望 | 第79-81页 |
| 5.1 本文总结 | 第79-80页 |
| 5.2 展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 作者简介 | 第89-91页 |
