| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 MOSFET器件的发展进程 | 第9-10页 |
| 1.2 MOSFET面临的挑战 | 第10-12页 |
| 1.2.1 工艺方面 | 第10-11页 |
| 1.2.2 基础理论方面 | 第11-12页 |
| 1.3 DG MOSFET | 第12-13页 |
| 1.4 DP(Dielectric Pocket)DG MOSFET | 第13-15页 |
| 1.5 本文的主要内容和框架 | 第15-17页 |
| 第二章 DPDG MOSFET的短沟道特性 | 第17-30页 |
| 2.1 TCAD仿真工具介绍 | 第17-20页 |
| 2.1.1 Silvaco-Atlas器件仿真工具 | 第17-18页 |
| 2.1.2 模型选择 | 第18-19页 |
| 2.1.3 数值计算方法 | 第19-20页 |
| 2.2 DPDG MOSFET基本特性 | 第20-26页 |
| 2.2.1 电势 | 第21-22页 |
| 2.2.2 电场 | 第22页 |
| 2.2.3 载流子迁移率 | 第22-23页 |
| 2.2.4 I_d～V_(ds)曲线 | 第23-26页 |
| 2.2.5 I_d～V_(gs)曲线 | 第26页 |
| 2.3 短沟道效应(SCE) | 第26-29页 |
| 2.3.1 阈值电压(V_t) | 第27-28页 |
| 2.3.2 亚阈值斜率(SS) | 第28页 |
| 2.3.3 漏感应势垒降低效应(DIBL) | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 DPDG MOSFET沟道绝缘柱表面势模型 | 第30-39页 |
| 3.1 一维模型 | 第30-31页 |
| 3.2 表面势模型 | 第31-34页 |
| 3.3 结果分析 | 第34-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 DPDG MOSFET温度特性的研究及性能的优化 | 第39-48页 |
| 4.1 温度对DPDG MOSFET电学性能的影响 | 第39-43页 |
| 4.1.1 I_d～V_(ds) | 第39-40页 |
| 4.1.2 I_d～V_(gs) | 第40-41页 |
| 4.1.3 载流子迁移率 | 第41页 |
| 4.1.4 SCE效应 | 第41-43页 |
| 4.2 DPDG MOSFET性能优化设计 | 第43-47页 |
| 4.2.1 DP属性方面的优化 | 第43-44页 |
| 4.2.2 结构方面的优化 | 第44-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 总结 | 第48-49页 |
| 5.2 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 附图 | 第56-57页 |
| 附表 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第59页 |
