| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 SOI高压LDMOS概述 | 第11-14页 |
| 1.2 SOI高压LDMOS器件耐压模型 | 第14-17页 |
| 1.3 薄层SOI横向高压器件耐压技术 | 第17-23页 |
| 1.3.1 横向耐压技术 | 第17-20页 |
| 1.3.2 纵向耐压技术 | 第20-23页 |
| 1.4 本文的主要工作和创新点 | 第23-25页 |
| 第二章 薄层SOI高压LDMOS背栅模型与特性 | 第25-51页 |
| 2.1 薄层SOI高压PLDMOS器件结构和参数 | 第25-26页 |
| 2.2 薄层SOI高压PLDMOS的背栅模型 | 第26-28页 |
| 2.3 薄层SOI高压PLDMOS耐压特性 | 第28-38页 |
| 2.3.1 漂移区浓度及n-well区浓度对耐压影响 | 第28-31页 |
| 2.3.2 埋氧层与顶层硅厚度和耐压的相关性 | 第31-34页 |
| 2.3.3 p-well缓冲区浓度对耐压的影响 | 第34-35页 |
| 2.3.4 场板和耐压的相关性 | 第35-37页 |
| 2.3.5 开态特性 | 第37-38页 |
| 2.4 薄层SOI高压NLDMOS设计 | 第38-44页 |
| 2.5 实验与结果讨论 | 第44-49页 |
| 2.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 超薄层SOI高压VLD LDMOS耐压模型与特性 | 第51-74页 |
| 3.1 SOI高压横向器件介质场增强 | 第51-52页 |
| 3.2 超薄层SOI高压VLD NLDMOS耐压模型 | 第52-59页 |
| 3.2.1 耐压模型 | 第52-57页 |
| 3.2.2 横向线性变掺杂技术 | 第57-59页 |
| 3.3 器件耐压与导通电阻 | 第59-67页 |
| 3.3.1 耐压和导通电阻与漂移区长度及掺杂浓度的相关性 | 第59-63页 |
| 3.3.2 耐压和导通电阻与漂移区厚度的相关性 | 第63-64页 |
| 3.3.3 场板对器件耐压和导通电阻的影响 | 第64-66页 |
| 3.3.4 漏端Nbuffer对器件特性的影响 | 第66-67页 |
| 3.4 超薄层SOI高压横向器件横向线性变掺杂设计 | 第67-71页 |
| 3.5 实验与结果讨论 | 第71-72页 |
| 3.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 第四章 SOI高压横向器件新结构 | 第74-103页 |
| 4.1 T-RESURF型SON LDMOS器件 | 第74-82页 |
| 4.1.1 器件结构 | 第74-78页 |
| 4.1.2 器件设计 | 第78-82页 |
| 4.2 具有部分横向线性变掺杂的PSUB型SOI LDMOS | 第82-89页 |
| 4.2.1 器件结构与开态特性 | 第82-84页 |
| 4.2.2 关态特性以及热效应 | 第84-89页 |
| 4.3 界面电荷岛型SOI高压器件 | 第89-97页 |
| 4.3.1 CI型SOI器件的结构与参数优化 | 第89-95页 |
| 4.3.2 CI型SOI高压器件的工艺方案 | 第95-97页 |
| 4.4 超低导通电阻的U型槽栅SOI MOSFET | 第97-101页 |
| 4.4.1 器件结构和原理 | 第97-98页 |
| 4.4.2 结果讨论 | 第98-101页 |
| 4.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 第五章 结论 | 第103-105页 |
| 5.1 主要结论 | 第103-104页 |
| 5.2 下一步工作 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-115页 |
| 攻博期间取得的科研成果 | 第115-117页 |
