| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 研究思想及内容 | 第13-14页 |
| 2 SiO_2/SiC界面态及测试方法 | 第14-26页 |
| 2.1 SiO_2/SiC界面态起源 | 第14-18页 |
| 2.1.1 悬挂键 | 第14-15页 |
| 2.1.2 碳团簇 | 第15-16页 |
| 2.1.3 近界面缺陷 | 第16-18页 |
| 2.2 SiO_2/SiC界面态测试方法 | 第18-25页 |
| 2.2.1 Gray-Brown法 | 第18-21页 |
| 2.2.2 室温hi-lo法 | 第21-24页 |
| 2.2.3 高温hi-lo法 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 氨等离子体处SiC MOS电容工艺 | 第26-34页 |
| 3.1 衬底预处理 | 第26-27页 |
| 3.2 氧化 | 第27-30页 |
| 3.3 氨等离子体氧化后退火 | 第30-31页 |
| 3.3.1 处理装置 | 第30页 |
| 3.3.2 处理工艺 | 第30-31页 |
| 3.4 金属电极制作工艺 | 第31-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 4 氨等离子体处理SiC MOS电容电学特性 | 第34-54页 |
| 4.1 氧化层绝缘特性 | 第34-40页 |
| 4.2 SiO_2/SiC界面电学特性 | 第40-43页 |
| 4.3 SiO_2/SiC界面电学特性改善效果 | 第43-48页 |
| 4.4 氨等离子体处理SiO_2/SiC界面的组成及结构 | 第48-51页 |
| 4.5 氨等离子体处理SiO_2/SiC界面机理分析 | 第51-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |