致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-57页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 有机场效应晶体管的器件结构,工作原理和性能指标 | 第9-13页 |
1.2.1 有机场效应晶体管的结构和工作原理 | 第9-11页 |
1.2.2 有机场效应晶体管(OFETs)的性能指标 | 第11页 |
1.2.3 影响OFETs的性能因素 | 第11-13页 |
1.3 有机半导体材料 | 第13-36页 |
1.3.1 p-型半导体材料 | 第14-23页 |
1.3.1.1 并苯类p-型半导体材料 | 第14-18页 |
1.3.1.2 含氮的p-型小分子半导体材料 | 第18页 |
1.3.1.3 噻吩类p-型半导体材料 | 第18-23页 |
1.3.2 n-型有机半导体材料 | 第23-32页 |
1.3.2.1 含有卤素原子的n-型有机半导体材料小分子 | 第24-25页 |
1.3.2.2 含氰基的n-型有机半导材料 | 第25-27页 |
1.3.2.3 含羰基的n-型小分子材料 | 第27-29页 |
1.3.2.4 含酰亚胺基团的n-型小分子化合物 | 第29-32页 |
1.3.3 双极性有机半导体材料 | 第32-36页 |
1.3.3.1 p-型材料和n-型材料共混 | 第32-33页 |
1.3.3.2 具有D-A结构的双极性半导体材料 | 第33-34页 |
1.3.3.3 通过化学修饰将单极性材料转变为双极性材料 | 第34-36页 |
1.4 有机场效应晶体管器件的制备 | 第36-39页 |
1.5 有机场效应晶体的应用 | 第39-41页 |
1.6 存在的问题与发展趋势 | 第41页 |
1.7 论文选题的依据 | 第41-43页 |
参考文献 | 第43-57页 |
第二章 十字型化合物有机半导体材料的设计、合成与性能研究 | 第57-83页 |
2.1 引言 | 第57-59页 |
2.2 实验部分 | 第59-66页 |
2.2.1 仪器、方法与试剂 | 第59-61页 |
2.2.1.1 仪器与测试方法 | 第59页 |
2.2.1.2 试剂 | 第59-61页 |
2.2.2 合成与表征 | 第61-66页 |
2.3 结果与讨论 | 第66-78页 |
2.3.1 材料的合成与表征 | 第66-70页 |
2.3.2 材料的光物理性质 | 第70-71页 |
2.3.3 材料的热稳定性 | 第71-72页 |
2.3.4 材料的电化学性能 | 第72-73页 |
2.3.5 材料的理论计算 | 第73-75页 |
2.3.6 薄膜场效应晶体管性能 | 第75-76页 |
2.3.7 化合物A1-A5的薄膜晶态(XRD)表征 | 第76-77页 |
2.3.8 化合物A3-A5的薄膜形貌(AFM)表征 | 第77-78页 |
2.4 本章小结 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-83页 |
第三章 萘酰亚胺类二维有机半导体材料的合成及性能研究 | 第83-95页 |
3.1 引言 | 第83-84页 |
3.2 实验部分 | 第84-87页 |
3.2.1 仪器、方法与试剂 | 第84-86页 |
3.2.1.1 仪器与方法 | 第84-85页 |
3.2.1.2 试剂 | 第85-86页 |
3.2.2 合成与表征 | 第86-87页 |
3.3 结果与讨论 | 第87-92页 |
3.3.1 材料的合成与表征 | 第87-90页 |
3.3.2 材料的光物理性质 | 第90-91页 |
3.3.3 材料的理论计算 | 第91页 |
3.3.4 材料的电化学性质 | 第91页 |
3.3.5 薄膜场效应晶体管的性能 | 第91-92页 |
3.4 本章小结 | 第92-94页 |
参考文献 | 第94-95页 |
第四章 总结与展望 | 第95-96页 |