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有机场效应晶体管新型聚合物半导体材料的合成及性能研究

致谢第4-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-50页
    1.1 引言第11-13页
    1.2 有机场效应晶体管的工作原理,器件结构及发展历程第13-19页
        1.2.1 有机场效应晶体管的工作原理第13-14页
        1.2.2 有机场效应晶体管的结构第14-17页
        1.2.3 有机半导体材料的发展历程第17-19页
    1.3 有机半导体材料的分类第19-36页
        1.3.1 有机小分子半导体材料第19-28页
            1.3.1.1 有机小分子p型半导体材料第19-25页
            1.3.1.2 有机小分子n型半导体材料第25-28页
        1.3.2 有机聚合物半导体材料第28-36页
    1.4 有机场效应晶体管的制备工艺第36-42页
    1.5 本论文的选题依据第42-43页
    1.6 参考文献第43-50页
第二章 新型并吡咯二酮(DPP)基双极性有机场效应晶体管半导体材料的合成及性质研究第50-73页
    2.1 引言第50-52页
    2.2 实验部分第52-55页
        2.2.1 原料以及仪器第52-53页
        2.2.2 合成步骤第53-55页
    2.3 结果与讨论第55-71页
        2.3.1 聚合物的GPC数据分析第55-56页
        2.3.2 聚合物的热力学性质第56-57页
        2.3.3 聚合物的光物理性质第57-59页
        2.3.4 聚合物的电化学性质第59-60页
        2.3.5 聚合物结构的DFT计算第60-62页
        2.3.6 聚合物的XRD分析第62-63页
        2.3.7 聚合物的薄膜形貌表征第63-65页
        2.3.8 聚合物的OFET性能第65-71页
    2.4 本章实验小结第71-72页
    2.5 参考文献第72-73页
第三章 新型DPPT系列的有机场效应晶体管(二)第73-89页
    3.1 引言第73-74页
    3.2 实验合成与表征部分第74-78页
        3.2.1 原料以及仪器第74-75页
        3.2.2 合成步骤第75-78页
    3.3 结果与讨论第78-87页
        3.3.1 聚合物GPC数据分析第78-79页
        3.3.2 聚合物的热力学性质第79-80页
        3.3.3 聚合物的光物理性质第80-81页
        3.3.4 聚合物的电化学性质第81-82页
        3.3.5 聚合物的DFT计算第82-83页
        3.3.6 聚合物的XRD分析第83-84页
        3.3.7 聚合物的薄膜形貌表征第84-85页
        3.3.8 聚合物的OFET性能第85-87页
    3.4 本章实验小结第87-88页
    3.5 参考文献第88-89页
第四章 研究单体组成对DPP系列聚合物性能的精细调控第89-101页
    4.1 引言第89-91页
    4.2 实验合成与表征部分第91-95页
        4.2.1 原料以及仪器第91-92页
        4.2.2 合成步骤第92-95页
    4.3 结果与讨论第95-99页
        4.3.1 DFT计算的三个单体的电子云结构第95-96页
        4.3.2 聚合物的GPC数据分析第96-98页
        4.3.3 聚合物的TGA数据分析第98页
        4.3.4 聚合物的紫外吸收光谱分析第98-99页
    4.4 本章实验小结第99-100页
    4.5 参考文献第100-101页
第五章 星形聚合物的合成及性能研究第101-114页
    5.1 引言第101-103页
    5.2 实验合成与表征部分第103-108页
        5.2.1 原料及仪器第103-104页
        5.2.2 合成步骤第104-108页
    5.3 结果与讨论第108-112页
        5.3.1 聚合物GPC数据分析第108-109页
        5.3.2 聚合物热重分析(TGA)第109-110页
        5.3.3 聚合物的光物理性质第110-111页
        5.3.4 聚合物的OFET性能研究第111-112页
    5.4 本章实验小结第112-113页
    5.5 参考文献第113-114页
第六章 总结与展望第114-116页
附录第116-119页

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