| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 SiC材料及器件的基本特性 | 第9-12页 |
| 1.1.1 SiC材料及其基本特性 | 第9-10页 |
| 1.1.2 SiC器件的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.1.3 SiC器件工艺难题及欧姆接触的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外SiC产业发展 | 第12-13页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 SiC金/半接触原理及欧姆测试方法研究 | 第15-29页 |
| 2.1 金/半接触特性 | 第15页 |
| 2.2 能带理论 | 第15-22页 |
| 2.2.1 肖特基接触能带理论 | 第16-17页 |
| 2.2.2 肖特基势垒 | 第17-18页 |
| 2.2.3 欧姆接触能带理论 | 第18-19页 |
| 2.2.4 半导体表面态对欧姆接触形成的影响 | 第19-20页 |
| 2.2.5 载流子输运过程及方程 | 第20-22页 |
| 2.3 SiC欧姆接触的表征 | 第22-28页 |
| 2.3.1 表征参数 | 第22-23页 |
| 2.3.2 表征方法 | 第23-28页 |
| 2.4 欧姆接触测试模块版图 | 第28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 4H-SiC欧姆接触研究 | 第29-43页 |
| 3.1 金属方案研究 | 第29-30页 |
| 3.1.1 p型SiC欧姆接触金属方案研究 | 第29-30页 |
| 3.1.2 n型SiC欧姆接触金属方案研究 | 第30页 |
| 3.1.3 本次研究采用金属方案 | 第30页 |
| 3.2 掺杂方案研究 | 第30-33页 |
| 3.2.1 杂质注入类型和剂量 | 第30-31页 |
| 3.2.2 杂质注入能量和温度 | 第31-32页 |
| 3.2.3 激活退火掩膜和条件 | 第32-33页 |
| 3.3 Ti/Al基4H-SiC欧姆接触研究 | 第33-40页 |
| 3.3.1 测试模块制备 | 第33-34页 |
| 3.3.2 分组退火实验 | 第34-35页 |
| 3.3.3 测试及分析 | 第35-40页 |
| 3.4 Ti/Al基P型SiC欧姆接触机理研究 | 第40-41页 |
| 3.5 基于TLM的Sentaurus TCAD仿真 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 SiC VDMOSFET欧姆先行工艺及器件制备研究 | 第43-50页 |
| 4.1 欧姆先行工艺开发 | 第43-45页 |
| 4.2 SiC MOSFET产品及制备 | 第45-49页 |
| 4.2.1 SiC MOSFET产品进展 | 第45-46页 |
| 4.2.2 SiC MOSFET发展瓶颈 | 第46页 |
| 4.2.3 SiC VDMOSFET版图设计 | 第46-47页 |
| 4.2.4 SiC VDMOSFET制备工艺流程 | 第47-48页 |
| 4.2.5 SiC VDMOSFET器件性能测试及结果 | 第48-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 在学期间的研究成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
