| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-17页 |
| 1.1.1 电力电子器件的发展历史 | 第11-13页 |
| 1.1.2 SiC器件的优越性和应用领域 | 第13-14页 |
| 1.1.3 短路故障简介 | 第14-16页 |
| 1.1.4 SiC MOSFET的短路性能对短路保护电路的反应时间的要求 | 第16-17页 |
| 1.2 SiC MOSFET的短路承受能力的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 课题的重要性和意义 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的主要研究工作 | 第19-20页 |
| 第二章 短路测试电路设计与工作原理 | 第20-33页 |
| 2.1 短路测试电路结构和设计方法 | 第20-31页 |
| 2.1.1 电容组 | 第21-25页 |
| 2.1.1.1 电容的简介 | 第21-23页 |
| 2.1.1.2 选取方法 | 第23-25页 |
| 2.1.2 固态断路器 | 第25-29页 |
| 2.1.2.1 IGBT选型 | 第26页 |
| 2.1.2.2 带过流保护的驱动芯片的原理介绍 | 第26-29页 |
| 2.1.3 电流传感器 | 第29-30页 |
| 2.1.4 短路测试电路板的3D模型图和实物图 | 第30-31页 |
| 2.2 短路测试平台的工作原理 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 SiC MOSFET的短路失效模式 | 第33-42页 |
| 3.1 SiC MOSFET的短路电流分析 | 第33-35页 |
| 3.2 SiC MOSFET的两种短路失效模式 | 第35-37页 |
| 3.3 第一种模式的普遍性 | 第37-39页 |
| 3.4 器件失效后的栅源极漏电流测试结果 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 SiC MOSFET和SiIGBT的一维热仿真模型 | 第42-60页 |
| 4.1 非稳态传热的理论 | 第42-45页 |
| 4.1.1 导热基本定律 | 第42-43页 |
| 4.1.2 热阻 | 第43-44页 |
| 4.1.3 非稳态导热问题的数学描写 | 第44-45页 |
| 4.2 建立SiC MOSFET和SiIGBT的热仿真模型的准备工作 | 第45-54页 |
| 4.2.1 电场分布的计算 | 第46-49页 |
| 4.2.2 器件的结构参数提取 | 第49-53页 |
| 4.2.3 半导体的热容、热导率和温度的关系 | 第53-54页 |
| 4.3 温度分布的计算方法 | 第54-56页 |
| 4.4 SiC MOSFET和Si IGBT的一维热仿真模型 | 第56-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 SiC MOSFET和SiIGBT的短路性能的对比和分析 | 第60-70页 |
| 5.1 SiC MOSFET和Si IGBT的短路性能对比 | 第60-63页 |
| 5.1.1 短路承受时间 | 第60-62页 |
| 5.1.2 临界短路能量密度 | 第62-63页 |
| 5.2 热仿真结果与分析 | 第63-67页 |
| 5.2.1 SiC MOSFET内的最高温度点的临界值 | 第63-64页 |
| 5.2.2 SiC MOSFET和SiIGBT芯片内的瞬时温度的对比 | 第64-65页 |
| 5.2.3 SiC MOSFET和SiIGBT的短路承受时间差异的原因分析 | 第65-67页 |
| 5.3 临界短路能量与直流母线电压(V_(dc))的关系 | 第67-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 作者简历 | 第75-76页 |
| 硕士期间发表和录用的论文 | 第76页 |
