| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 GaN材料及器件优势及研究进展 | 第17-20页 |
| 1.1.1 GaN材料优势及进展 | 第17-18页 |
| 1.1.2 GaN基HEMT器件进展 | 第18-20页 |
| 1.2 GaN基增强型HEMT及其电路研究进展 | 第20-23页 |
| 1.2.1 GaN基增强型HEMT优势及研究进展 | 第20-21页 |
| 1.2.2 GaN基E/D-mode电路研究进展 | 第21-23页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第23-25页 |
| 第二章 GaN基增强型MIS-HEMT研究 | 第25-43页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT基本理论 | 第25-29页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第25-27页 |
| 2.1.2 GaN基增强型HEMT实现方式及原理 | 第27-29页 |
| 2.2 制备GaN基增强型MIS-HEMT的关键工艺 | 第29-33页 |
| 2.3 GaN基增强型MIS-HEMT的特性分析 | 第33-40页 |
| 2.3.1 GaN基增强型MIS-HEMT的直流特性 | 第33-35页 |
| 2.3.2 GaN基增强型MIS-HEMT的频率特性 | 第35-36页 |
| 2.3.3 GaN基增强型MIS-HEMT的C-V特性 | 第36-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-43页 |
| 第三章 GaN基增强型MIS-HEMT模型建立及E/D-mode电路仿真 | 第43-57页 |
| 3.1 GaN基HEMT模型建立 | 第43-48页 |
| 3.1.1 Agilent EE_HEMT1模型 | 第43-46页 |
| 3.1.2 GaN基增强型MIS-HEMT建模 | 第46-48页 |
| 3.2 GaN基E/D-mode MIS-HEMT反相器仿真 | 第48-50页 |
| 3.3 GaN基E/D-mode电平转换电路仿真 | 第50-55页 |
| 3.3.1 GaN基E/D-mode MIS-HEMT电平转换电路原理 | 第50-52页 |
| 3.3.2 GaN基E/D-mode MIS-HEMT电平转换电路仿真 | 第52-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 GaN基E/D-mode电路的制备与测试分析 | 第57-67页 |
| 4.1 GaN基增强型MIS-HEMT电路制备过程 | 第57-60页 |
| 4.2 GaN基E/D-mode MIS-HEMT反相器测试与分析 | 第60-62页 |
| 4.3 GaN基E/D-mode MIS-HEMT电平转换电路测试与分析 | 第62-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-71页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第67-68页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
