| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 课题的研究背景与意义 | 第17-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 RF LDMOS器件的主要研究方向 | 第19-22页 |
| 1.3.1 提高器件性能指标 | 第20-21页 |
| 1.3.2 建立器件模型并提取参数 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文的内容与结构介绍 | 第22-23页 |
| 第二章 RF LDMOS功率器件简介 | 第23-41页 |
| 2.1 RF LDMOS的基本结构与特点 | 第23-24页 |
| 2.2 RF LDMOS器件的击穿特性与终端技术 | 第24-28页 |
| 2.3 RF LDMOS器件的输出特性 | 第28-30页 |
| 2.4 RF LDMOS器件的射频特性 | 第30-41页 |
| 2.4.1 栅氧化层厚度对Cgd的影响 | 第31-32页 |
| 2.4.2 沟道区掺杂浓度对Cgd的影响 | 第32-33页 |
| 2.4.3 漂移区各部分参数对Cgd的影响 | 第33-35页 |
| 2.4.4 外加电压VD对Cgd的影响 | 第35-36页 |
| 2.4.5 提高射频LDMOS器件频率特性的主要措施 | 第36-41页 |
| 第三章 具有部分阶梯埋层的射频LDMOS | 第41-55页 |
| 3.1 具有部分阶梯埋层的RF LDMOS器件结构及建模 | 第41-45页 |
| 3.2 具有部分阶梯埋层的RF LDMOS器件特性分析 | 第45-49页 |
| 3.2.1 埋层的阶梯位置对器件性能的影响 | 第45-46页 |
| 3.2.2 阶梯埋层厚度对器件性能的影响 | 第46-48页 |
| 3.2.3 埋层中阶梯的个数对器件性能的影响 | 第48-49页 |
| 3.3 具有部分阶梯埋层的RF LDMOS器件性能比较 | 第49-52页 |
| 3.3.1 击穿特性的比较 | 第49-51页 |
| 3.3.2 频率特性的比较 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-55页 |
| 第四章 漂移区加电极的折叠射频LDMOS功率器件特性研究 | 第55-69页 |
| 4.1 漂移区加电极的折叠射频LDMOS器件结构及特点 | 第55-57页 |
| 4.2 漂移区加电极的折叠射频LDMOS器件性能分析 | 第57-63页 |
| 4.2.1 阈值特性 | 第57-58页 |
| 4.2.2 漂移区电极的氧化层厚度对器件性能的影响 | 第58-61页 |
| 4.2.3 折叠漂移区外加电压对器件性能的影响 | 第61-63页 |
| 4.3 漂移区加电极的折叠射频LDMOS器件性能比较 | 第63-66页 |
| 4.3.1 击穿特性的比较 | 第63-64页 |
| 4.3.2 输出特性的比较 | 第64-65页 |
| 4.3.3 频率特性的比较 | 第65-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-69页 |
| 第五章 总结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |
