| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第17-18页 |
| 1.2 SiC MOSFET存在的问题和研究意义 | 第18-20页 |
| 1.3 本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 材料生长与表征及MOS电学特性 | 第21-41页 |
| 2.1 Y_2O_3材料生长 | 第21-22页 |
| 2.2 栅介质材料特性表征 | 第22-24页 |
| 2.2.1 光谱椭偏仪 | 第22-23页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 2.2.3 X射线光电子谱仪 | 第24页 |
| 2.3 MOS电容结构及特性 | 第24-28页 |
| 2.3.1 MOS电容结构 | 第24-27页 |
| 2.3.2 MOS电容理想C-V特性 | 第27-28页 |
| 2.4 栅介质层中陷阱电荷的构成及表征 | 第28-33页 |
| 2.4.1 栅介质中的陷阱电荷构成 | 第28-31页 |
| 2.4.2 界面陷阱密度计算方法 | 第31-33页 |
| 2.5 MOS电容漏电流机制 | 第33-38页 |
| 2.5.1 空间电荷限制导电机制 | 第34-35页 |
| 2.5.2 肖特基发射 | 第35-36页 |
| 2.5.3 Poole-Frenkel发射 | 第36页 |
| 2.5.4 直接隧穿 | 第36-37页 |
| 2.5.5 Fowler-Nordheim隧穿 | 第37-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-41页 |
| 第三章 MOS栅介质材料特性分析 | 第41-55页 |
| 3.1 材料特性表征 | 第41-43页 |
| 3.1.1 椭偏仪测试结果分析 | 第41-42页 |
| 3.1.2 原子力显微镜测试结果分析 | 第42-43页 |
| 3.2 Y_2O_3薄膜高温退火特性研究 | 第43-44页 |
| 3.3 XPS分析与带偏计算 | 第44-52页 |
| 3.3.1 Y_2O_3栅介质XPS分析 | 第45-47页 |
| 3.3.2 Y_2O_3/SiO_2/SiC XPS分析 | 第47-48页 |
| 3.3.3 栅介质/SiC带偏计算 | 第48-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-55页 |
| 第四章 SiC MOS电容制备及电学特性分析 | 第55-69页 |
| 4.1 SiC MOS电容制备流程 | 第55-56页 |
| 4.2 MOS电容电学特性分析 | 第56-67页 |
| 4.2.1 汞探针C-V测外延层掺杂浓度 | 第56-57页 |
| 4.2.2 Y_2O_3/SiO_2/4H-SiC MOS电容测试分析 | 第57-61页 |
| 4.2.3 漏电流分析 | 第61-62页 |
| 4.2.4 堆垛栅介质漏电机理 | 第62-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 总结 | 第69-70页 |
| 5.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |