| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-34页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第13-16页 |
| 1.2 GaN毫米波功率器件及模型国内外研究现状 | 第16-32页 |
| 1.2.1 器件方面 | 第16-22页 |
| 1.2.2 模型方面 | 第22-32页 |
| 1.3 本文的研究内容和结构安排 | 第32-34页 |
| 第二章 GaN HEMT热电机理概述及热模型研究 | 第34-58页 |
| 2.1 引言 | 第34页 |
| 2.2 GaN材料和器件特性简述 | 第34-41页 |
| 2.2.1 GaN材料特性 | 第34-36页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件结构及工作原理 | 第36-39页 |
| 2.2.3 GaN HEMT的主要性能参数 | 第39-41页 |
| 2.3 GaN HEMT自热效应 | 第41-46页 |
| 2.4 Al GaN/GaN HEMT器件热分析 | 第46-57页 |
| 2.4.1 半导体器件热分析理论简介 | 第47-50页 |
| 2.4.2 非线性热阻提取方法研究 | 第50-56页 |
| 2.4.3 热容提取研究 | 第56-57页 |
| 2.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第三章 毫米波GaN HEMT小信号模型研究 | 第58-78页 |
| 3.1 引言 | 第58页 |
| 3.2 毫米波GaN HEMT极间耦合电容提取方法研究 | 第58-66页 |
| 3.3 温度相关的Rd和Rs的提取方法 | 第66-71页 |
| 3.4 温度相关的接入电阻对小信号模型参数提取的影响分析 | 第71-77页 |
| 3.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 第四章 毫米波GaN HEMT热电大信号模型研究 | 第78-110页 |
| 4.1 引言 | 第78页 |
| 4.2 Ka波段GaN HEMT热电大信号建模 | 第78-97页 |
| 4.2.1 毫米波GaN HEMT热电模型建模方法 | 第78-81页 |
| 4.2.2 电流源模型 | 第81-85页 |
| 4.2.3 温度相关的非线性电容模型 | 第85-88页 |
| 4.2.4 Ka波段GaN HEMT热电模型高低温环境大信号验证 | 第88-90页 |
| 4.2.5 温度相关接入电阻对毫米波GaN HEMT大信号建模的影响 | 第90-97页 |
| 4.3 W波段GaN HEMT热电模型建模研究 | 第97-108页 |
| 4.3.1 频率相关的色散效应研究 | 第98-102页 |
| 4.3.2 短沟道效应建模研究 | 第102-105页 |
| 4.3.3 W波段GaN HEMT热电模型大信号建模 | 第105-108页 |
| 4.4 本章小结 | 第108-110页 |
| 第五章 热电模型电路设计验证 | 第110-123页 |
| 5.1 引言 | 第110页 |
| 5.2 毫米波GaN HEMT热电缩比模型研究 | 第110-115页 |
| 5.3 Ka波段热电模型验证 | 第115-118页 |
| 5.4 W波段热电模型验证 | 第118-122页 |
| 5.5 本章小结 | 第122-123页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第123-127页 |
| 6.1 本文的主要工作和创新点 | 第123-125页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-143页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第143-145页 |
