| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 前言 | 第10-11页 |
| 1.2 InP HEMT器件的发展与现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 InP HEMT器件的发展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 国内外InP HEMT器件的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 InP HEMT器件模型的发展与现状 | 第13-15页 |
| 1.4 研究目的与意义 | 第15页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 InP HEMT器件 | 第17-29页 |
| 2.1 HEMT器件原理 | 第17-22页 |
| 2.1.1 HEMT器件的直流特性 | 第18-19页 |
| 2.1.2 HEMT器件的交流特性 | 第19-22页 |
| 2.2 器件结构与工艺 | 第22-24页 |
| 2.2.1 HEMT器件的外延结构 | 第22-24页 |
| 2.2.2 HEMT器件的制作工艺 | 第24页 |
| 2.3 器件性能表征 | 第24-28页 |
| 2.3.1 器件直流特性 | 第25-27页 |
| 2.3.2 器件交流特性 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 小信号模型的建立 | 第29-49页 |
| 3.1 小信号模型的介绍 | 第30-34页 |
| 3.1.1 寄生电感L_g，L_d，L_s | 第30-31页 |
| 3.1.2 寄生电容C_(gs)，C_(gd)，C_(ds) | 第31页 |
| 3.1.3 寄生电阻R_g，R_d，R_d | 第31-32页 |
| 3.1.4 器件跨导G_m | 第32页 |
| 3.1.5 本征电容C_(gs)、C_(gd)、C_(ds) | 第32-33页 |
| 3.1.6 输出电导G_d | 第33页 |
| 3.1.7 沟道电阻R | 第33页 |
| 3.1.8 时间因子τ | 第33-34页 |
| 3.2 寄生参数的提取 | 第34-41页 |
| 3.2.1 寄生电容的提取 | 第34-35页 |
| 3.2.2 寄生电感的提取 | 第35-36页 |
| 3.2.3 寄生电阻的提取 | 第36-41页 |
| 3.3 本征参数的提取 | 第41-44页 |
| 3.4 小信号模型的建立 | 第44-46页 |
| 3.5 小信号模型的改进 | 第46-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 陷阱电荷对射频器件建模的影响研究 | 第49-59页 |
| 4.1 HEMT器件中Trap的起源以及给器件带来的影响分析 | 第49-50页 |
| 4.2 脉冲IV测试方法 | 第50-51页 |
| 4.3 HEMT器件中Trap的探测以及表征 | 第51-58页 |
| 4.3.1 相同脉宽、不同静态电压下的脉冲电流比较 | 第51-52页 |
| 4.3.2 相同脉宽、不同栅端静态电压下的脉冲电流 | 第52-54页 |
| 4.3.3 固定栅端静态电压、不同脉冲宽度下的脉冲电流 | 第54-57页 |
| 4.3.4 不同栅端静态电压、不同脉冲宽度下的脉冲电流分析 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 大信号模型的建立 | 第59-78页 |
| 5.1 InP HEMT器件的大信号拓扑 | 第59-67页 |
| 5.1.1 Curtice模型 | 第61-63页 |
| 5.1.2 STATZ模型 | 第63-65页 |
| 5.1.3 Angelov模型 | 第65-67页 |
| 5.1.4 EEHEMT模型 | 第67页 |
| 5.2 大信号模型的建立与验证 | 第67-76页 |
| 5.2.1 肖特基二极管参数提取 | 第67-68页 |
| 5.2.2 直流参数的提取 | 第68-72页 |
| 5.2.3 交流参数的提取 | 第72-74页 |
| 5.2.4 EEHEMT模型的优化与验证 | 第74-76页 |
| 5.3 本章小结 | 第76-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-80页 |
| 6.1 全文总结 | 第78页 |
| 6.2 展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |
| 作者在攻读硕士期间的研究成果 | 第86-87页 |
