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石墨烯场效应晶体管的制备工艺与特性研究

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第一章 绪论第11-34页
    1.1 石墨烯晶体管的研究背景与意义第11-12页
    1.2 石墨烯的基本特性、制备和表征第12-19页
        1.2.1 石墨烯的基本结构与电学性能第12-14页
        1.2.2 石墨烯的制备与表征第14-19页
    1.3 石墨烯场效应晶体管的基本特性、前景与现状第19-30页
        1.3.1 石墨烯场效应晶体管的工作原理与基本结构第19-22页
        1.3.2 石墨烯晶体管的应用前景第22-27页
        1.3.3 石墨烯晶体管的研究现状第27-30页
    1.4 本论文的主要内容,创新与结构安排第30-33页
        1.4.1 课题的提出及意义第30-31页
        1.4.2 主要工作及创新点第31-32页
        1.4.3 论文的结构安排第32-33页
    1.5 本章小结第33-34页
第二章 石墨烯场效应晶体管的制备工艺研究第34-51页
    2.1 石墨烯的制备与表征第34-39页
    2.2 全背栅结构石墨烯晶体管的制备第39-44页
    2.3 埋栅结构石墨烯晶体管的制备第44-47页
    2.4 顶栅结构石墨烯晶体管的制备第47-50页
    2.5 本章小结第50-51页
第三章 高开关比石墨烯晶体管的研究第51-59页
    3.1 高开关比石墨烯晶体管的研究现状第51-53页
    3.2 一种高开关比石墨烯晶体管的制备与性能研究第53-58页
    3.3 本章小结第58-59页
第四章 环境对石墨烯场效应晶体管的掺杂作用第59-73页
    4.1 石墨烯掺杂特性概述第59-64页
    4.2 石墨烯晶体管性能在大气和真空中退火的变化第64-67页
    4.3 石墨烯晶体管性能随时间的变化第67-72页
    4.4 本章小结第72-73页
第五章 石墨烯场效应晶体管迟滞效应研究第73-89页
    5.1 石墨烯场效应晶体管栅压调制的迟滞效应第73-77页
    5.2 以氧化硅为栅介质的石墨烯晶体管的迟滞效应研究第77-79页
    5.3 以氧化铪为栅介质的石墨烯晶体管的迟滞效应研究第79-82页
    5.4 以非晶硅为栅介质的石墨烯晶体管的迟滞效应研究第82-88页
    5.5 本章小结第88-89页
第六章 石墨烯晶体管的沟道尺寸与器件跨导的研究第89-104页
    6.1 石墨烯晶体管沟道尺寸对器件跨导的影响第89-91页
    6.2 相同源漏间距不同栅长的石墨烯晶体管电学性能研究第91-94页
    6.3 不同源漏间距相同栅长的石墨烯晶体管电学性能研究第94-98页
    6.4 硅栅自对准结构石墨烯晶体管的研究第98-103页
        6.4.1 硅栅石墨烯器件的研究意义第98-100页
        6.4.2 硅栅石墨烯晶体管的制备第100-101页
        6.4.3 硅栅自对准结构石墨烯晶体管的研究第101-103页
    6.5 本章小结第103-104页
第七章 全文总结与展望第104-106页
    7.1 全文总结第104-105页
    7.2 后续工作展望第105-106页
致谢第106-107页
参考文献第107-116页
攻读博士学位期间取得的成果第116-118页

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