| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 功率半导体器件简介 | 第11-13页 |
| 1.2 功率MOSFET介绍 | 第13-15页 |
| 1.2.1 纵向功率MOSFET | 第13-14页 |
| 1.2.2 横向功率MOSFET | 第14-15页 |
| 1.3 可集成的槽型功率MOSFET介绍 | 第15-20页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 具有槽源和槽栅结构的功率MOSFET研究 | 第21-39页 |
| 2.1 器件特征和机理分析 | 第21-25页 |
| 2.2 关键参数对性能的影响 | 第25-31页 |
| 2.2.1 漂移区掺杂浓度 | 第26-27页 |
| 2.2.2 栅氧化层高出器件P-well区的距离 | 第27-29页 |
| 2.2.3 场氧化层宽度以及漂移区厚度 | 第29-31页 |
| 2.3 新结构与对比结构的性能比较 | 第31-35页 |
| 2.4 关键工艺步骤 | 第35-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 具有分裂栅结构的槽源槽栅功率MOSFET研究 | 第39-50页 |
| 3.1 器件特征和机理分析 | 第39-42页 |
| 3.2 器件性能的优化 | 第42-44页 |
| 3.3 新结构与对比结构的性能比较 | 第44-47页 |
| 3.3.1 静态性能比较 | 第44-45页 |
| 3.3.2 动态性能比较 | 第45-47页 |
| 3.4 关键工艺步骤 | 第47-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 一种具有高K介质的功率MOSFET研究 | 第50-63页 |
| 4.1 器件特征和机理分析 | 第50-54页 |
| 4.2 新结构的参数优化 | 第54-58页 |
| 4.2.1 核心区域内的子单元数 | 第54-55页 |
| 4.2.2 漂移区掺杂浓度 | 第55页 |
| 4.2.3 高K介质的相对介电常数 | 第55-56页 |
| 4.2.4 介质槽的宽度 | 第56-57页 |
| 4.2.5 高K介质的厚度 | 第57-58页 |
| 4.3 新结构与对比结构的性能比较 | 第58-59页 |
| 4.4 关键工艺步骤 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第69-70页 |