VDMOS器件的自热效应及高温热载流子效应的研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 功率器件可靠性研究背景和意义 | 第9-11页 |
| 1.2 VD-MOSFET晶体管的发展和现状 | 第11-15页 |
| 1.3 论文的主要内容和安排 | 第15-17页 |
| 第二章 VD-MOSFET结构与基本特性研究 | 第17-27页 |
| 2.1 VDMOS结构与工作原理 | 第17-20页 |
| 2.1.1 VDMOS基本结构 | 第17-19页 |
| 2.1.2 VDMOS器件工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2 器件主要参数 | 第20-23页 |
| 2.2.1 阈值电压Vth | 第20-21页 |
| 2.2.2 导通电阻Ron | 第21-22页 |
| 2.2.3 跨导gm | 第22-23页 |
| 2.2.4 栅源击穿电压BV_(gs) | 第23页 |
| 2.2.5 漏源击穿电压BV_(ds) | 第23页 |
| 2.3 VDMOS基本特性仿真 | 第23-25页 |
| 2.3.1 转移特性 | 第23-24页 |
| 2.3.2 输出特性 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 VDMOS器件的热仿真 | 第27-38页 |
| 3.1 仿真工具和模型 | 第27-29页 |
| 3.2 器件的自热仿真 | 第29-34页 |
| 3.2.1 VDMOS器件自热作用下温度分布 | 第29-32页 |
| 3.2.2 自热效应仿真结果与分析 | 第32-34页 |
| 3.3 不同环境温度下器件特性 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 VDMOS器件可靠性建模和退化 | 第38-47页 |
| 4.1 热载流子与载流子效应 | 第38-39页 |
| 4.2 衬底电流模型 | 第39-44页 |
| 4.2.1 Isub-Vg | 第39-41页 |
| 4.2.2 结果分析 | 第41-44页 |
| 4.3 器件的退化 | 第44-46页 |
| 4.3.1 饱和漏源电流的退化 | 第44-45页 |
| 4.3.2 阈值电压的退化 | 第45-46页 |
| 4.3.3 转移特性的退化 | 第46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论 | 第47-49页 |
| 5.1 总结 | 第47-48页 |
| 5.2 展望 | 第48-49页 |
| 附图与附表 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第57页 |
