| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 PZT简介及应用进展 | 第9-11页 |
| 1.3 GaN基HEMT探测器件简介与研究进展 | 第11-15页 |
| 1.4 感光栅极的GaN基HEMT器件的提出与工作机理 | 第15-17页 |
| 1.5 论文的选题与研究方案 | 第17-19页 |
| 第2章 感光栅PZT薄膜的制备与表征方法 | 第19-27页 |
| 2.1 铁电薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| 2.2 磁控溅射沉积系统 | 第20-21页 |
| 2.3 PZT薄膜表征方法 | 第21-23页 |
| 2.3.1 台阶仪 | 第21-22页 |
| 2.3.2 X射线衍射XRD | 第22页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜SEM | 第22-23页 |
| 2.3.4 聚焦离子束FIB | 第23页 |
| 2.3.5 光谱特性 | 第23页 |
| 2.4 PZT薄膜电学性能测试 | 第23-24页 |
| 2.4.1 铁电性 | 第23-24页 |
| 2.4.2 漏电流 | 第24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-27页 |
| 第3章 感光栅PZT薄膜的制备工艺及性能研究 | 第27-49页 |
| 3.1 PZT薄膜的制备 | 第27-33页 |
| 3.1.1 PZT薄膜制备工艺流程 | 第27页 |
| 3.1.2 溅射功率和气压分别对PZT薄膜速率的影响 | 第27-32页 |
| 3.1.3 多种下电极上的PZT薄膜的制备与退火后表面形貌 | 第32-33页 |
| 3.2 PZT薄膜的结晶化研究 | 第33-42页 |
| 3.2.1 不同厚度PZT薄膜结晶的影响 | 第33-38页 |
| 3.2.2 不同厚度PZT薄膜的退火结晶化表面形貌分析 | 第38-40页 |
| 3.2.3 PZT薄膜退火晶化时出现的现象 | 第40-42页 |
| 3.3 PZT薄膜性能研究 | 第42-47页 |
| 3.3.1 下电极对PZT薄膜铁电性的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.2 下电极对PZT薄膜漏电流的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.3 厚度对PZT薄膜铁电性的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.4 厚度对PZT薄膜吸光谱的影响 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 感光栅极的GaN基HEMT器件设计与工艺制备 | 第49-61页 |
| 4.1 感光栅极的GaN基HEMT器件工艺流程 | 第49页 |
| 4.2 HEMT栅极版图研究与设计 | 第49-50页 |
| 4.3 感光栅极的GaN基HEMT器件工艺制备 | 第50-59页 |
| 4.3.1 外延片参数及清洗工艺 | 第50-51页 |
| 4.3.2 光刻套刻工艺研究 | 第51-53页 |
| 4.3.3 有源区隔离及SiO2保护台面工艺 | 第53-55页 |
| 4.3.4 源漏欧姆接触电极的制备 | 第55-56页 |
| 4.3.5 栅极的制备 | 第56-57页 |
| 4.3.6 感光栅PZT薄膜的溅射制备 | 第57-58页 |
| 4.3.7 感光栅PZT薄膜上电极制备 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 感光栅极的GaN基HEMT器件感光测试 | 第61-71页 |
| 5.1 器件的光探测 | 第61-67页 |
| 5.1.1 无感光栅器件的光探测测试与分析 | 第61-64页 |
| 5.1.2 感光栅器件的光探测测试与分析 | 第64-67页 |
| 5.2 器件的热辐射探测 | 第67-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
