| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1. GaN材料特性和GaN HEMT器件的优势与应用 | 第9-10页 |
| 1.2. GaN HEMT器件与其可靠性问题研究进展 | 第10-16页 |
| 1.3. 本论文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 GaN HEMT器件的工作原理及可靠性相关概念 | 第17-23页 |
| 2.1. 极化效应 | 第17-18页 |
| 2.2. GaN HEMT的基本结构及工作原理 | 第18-19页 |
| 2.3. 结温和热阻概念及其测试方法 | 第19-21页 |
| 2.4. 半导体器件的失效模式机理概述 | 第21-22页 |
| 2.5. 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 GaN HEMT器件的热特性测试 | 第23-37页 |
| 3.1. GaN HEMT器件的防自激电路设计 | 第23-24页 |
| 3.1.1. 防自激电路设计原理 | 第23-24页 |
| 3.1.2. 电路版画图和搭建 | 第24页 |
| 3.2. GaN HEMT器件的变温特性测试 | 第24-30页 |
| 3.2.1. 温度对输出特性的影响 | 第25-26页 |
| 3.2.2. 温度对栅泄漏特性的影响 | 第26-29页 |
| 3.2.3. 温度对源、漏串联电阻的影响 | 第29-30页 |
| 3.3. 电学法与红外法热阻测试 | 第30-35页 |
| 3.3.1. 测试电流对热阻影响 | 第31-32页 |
| 3.3.2. 热阻与工作电压关系研究 | 第32-33页 |
| 3.3.3. 红外热成像测试 | 第33-35页 |
| 3.4. 本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 GaN HEMT器件的缺陷相关的仿真研究 | 第37-49页 |
| 4.1. Silvaco-ATLAS仿真平台 | 第37-38页 |
| 4.2. GaN HEMT基本特性仿真 | 第38-40页 |
| 4.2.1. 器件模型搭建 | 第38-39页 |
| 4.2.2. Al组分对 2DEG的影响 | 第39-40页 |
| 4.3. GaN基HEMT器件的热特性仿真 | 第40-42页 |
| 4.3.1. 自热效应 | 第40-41页 |
| 4.3.2. 热分布 | 第41-42页 |
| 4.4. GaN HEMT器件的缺陷问题相关仿真 | 第42-47页 |
| 4.4.1. 缺陷位置对输出特性的影响 | 第42-43页 |
| 4.4.2. 缺陷浓度对输出特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.4.3. 缺陷能级对输出特性的影响 | 第44页 |
| 4.4.4. 改善器件中缺陷相关问题的措施 | 第44-47页 |
| 4.5. 本章小节 | 第47-49页 |
| 第5章 GaN HEMT器件的失效分析 | 第49-55页 |
| 5.1. 失效分析方法 | 第49-50页 |
| 5.2. 失效分析案例 | 第50-54页 |
| 5.2.1. 电学测试初步分析 | 第50-51页 |
| 5.2.2. 失效点定位 | 第51-53页 |
| 5.2.3. 失效机理的确定 | 第53页 |
| 5.2.4. 改进措施 | 第53-54页 |
| 5.3. 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
