| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 III族氮化物材料概述 | 第15-18页 |
| 1.1.1 III族氮化物材料结构 | 第15-16页 |
| 1.1.2 三族氮化物材料特点 | 第16-17页 |
| 1.1.3 三族氮化物材料生长技术 | 第17-18页 |
| 1.2 GaN一维器件研究意义 | 第18-19页 |
| 1.3 国内外研究进展 | 第19-20页 |
| 1.4 论文内容安排 | 第20-23页 |
| 第二章 GaN基NC-HEMT基础与仿真 | 第23-33页 |
| 2.1 器件结构 | 第23-25页 |
| 2.2 Al GaN/GaN一维沟道器件工作原理 | 第25-26页 |
| 2.3 Silvaco仿真基础 | 第26-31页 |
| 2.3.1 Silvaco TCAD仿真软件介绍 | 第26-27页 |
| 2.3.2 主要物理模型 | 第27-30页 |
| 2.3.3 Atlas中搭建GaN一维纳米沟道器件流程 | 第30-31页 |
| 2.4 仿真思路 | 第31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 GaN基一维器件I-V特性仿真 | 第33-53页 |
| 3.1 仿真器件结构 | 第33-34页 |
| 3.2 变Al组份的器件的能带仿真 | 第34-38页 |
| 3.3 Wfin为 200nm的器件仿真 | 第38-42页 |
| 3.4 变纳米沟道宽度器件的I-V特性 | 第42-46页 |
| 3.5 变沟道长度的器件的I-V特性 | 第46-49页 |
| 3.6 变栅长的器件的I-V特性 | 第49-51页 |
| 3.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 GaN基一维器件工艺基础 | 第53-65页 |
| 4.1 传输线模型TLM | 第53-54页 |
| 4.2 欧姆接触优化 | 第54-58页 |
| 4.2.1 圆片划分与刻蚀工艺 | 第54-55页 |
| 4.2.2 刻蚀后各区TLM数据分析 | 第55-58页 |
| 4.3 一维器件工艺流程 | 第58-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 GaN基一维器件测试结果分析 | 第65-75页 |
| 5.1 变纳米沟道宽度器件的I-V特性 | 第65-71页 |
| 5.2 变沟道长度的器件的I-V特性 | 第71-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 6.1 论文内容总结 | 第75-76页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |