| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC材料简介 | 第10-11页 |
| 1.3 SiC MOSFET器件发展概况 | 第11-15页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 4H-SiC离子注入工艺 | 第16-24页 |
| 2.1 SiC离子注入简介 | 第16-17页 |
| 2.2 4H-SiC离子注入仿真 | 第17-19页 |
| 2.3 4H-SiC离子注入实验结果 | 第19-21页 |
| 2.4 沟道自对准工艺 | 第21-23页 |
| 2.5 本章总结 | 第23-24页 |
| 第三章 4H-SiC欧姆接触工艺 | 第24-42页 |
| 3.1 金属-半导体接触理论 | 第24-27页 |
| 3.1.1 电流输运过程 | 第24-25页 |
| 3.1.2 欧姆接触 | 第25-27页 |
| 3.2 欧姆接触表征方法 | 第27-31页 |
| 3.2.1 欧姆接触测量方法 | 第27-30页 |
| 3.2.2 欧姆接触测试结构设计 | 第30-31页 |
| 3.3 4H-SiC欧姆接触实验结果 | 第31-41页 |
| 3.3.1 P/N型 4H-SiC欧姆接触实验结果及分析 | 第31-32页 |
| 3.3.2 工艺整合验证 | 第32-35页 |
| 3.3.3 欧姆合金工艺的再开发 | 第35-38页 |
| 3.3.4 多晶硅的方块电阻和欧姆合金 | 第38-41页 |
| 3.4 本章总结 | 第41-42页 |
| 第四章 4H-SiC/SiO_2界面调控研究 | 第42-56页 |
| 4.1 4H-SiC MOS界面对MOSFET器件性能的影响 | 第42-47页 |
| 4.1.1 沟道迁移率对器件导通特性的影响 | 第43-45页 |
| 4.1.2 4H-SiC/SiO_2界面态的来源 | 第45-46页 |
| 4.1.3 4H-SiC沟道迁移率提高方法 | 第46-47页 |
| 4.2 4H-SiC/SiO_2界面特性表征方法 | 第47-52页 |
| 4.2.1 界面态测量方法 | 第47-51页 |
| 4.2.2 界面表征结构设计 | 第51-52页 |
| 4.3 4H-SiC/SiO_2界面调控实验结果 | 第52-55页 |
| 4.3.1 4H-SiC/SiO_2界面态密度测试结果 | 第52-54页 |
| 4.3.2 4H-SiC MOSFET沟道迁移率提取 | 第54-55页 |
| 4.4 本章总结 | 第55-56页 |
| 第五章 1200V 4H-SiC MOSFET晶体管制作与测试 | 第56-68页 |
| 5.1 1200V 4H-SiC MOSFET晶体管制作 | 第56-57页 |
| 5.2 4H-SiC MOSFET静态测试结果 | 第57-59页 |
| 5.3 4H-SiC MOSFET动态测试结果 | 第59-64页 |
| 5.4 4H-SiC MOSFET可靠性测试 | 第64-67页 |
| 5.5 本章总结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第75-76页 |
