| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 半导体材料的发展进程 | 第16页 |
| 1.2 GaN材料的优势与重要性 | 第16-18页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HEMT器件的基本性质与优势 | 第18-20页 |
| 1.4 等离子体刻蚀与GaN关键工艺研究概况 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文研究内容及安排 | 第21-24页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT基本理论 | 第24-42页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件基本结构和工作原理 | 第24-28页 |
| 2.1.1 基本结构 | 第24-25页 |
| 2.1.2 二维电子气与工作原理 | 第25-28页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件制造工艺 | 第28-35页 |
| 2.2.1 隔离工艺 | 第28-29页 |
| 2.2.2 欧姆接触 | 第29-34页 |
| 2.2.3 肖特基接触 | 第34-35页 |
| 2.2.4 钝化工艺 | 第35页 |
| 2.3 等离子体刻蚀与GaN关键工艺相关优化方案 | 第35-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 欧姆区域等离子体刻蚀研究 | 第42-56页 |
| 3.1 等离子体刻蚀欧姆区域实验方法 | 第42-43页 |
| 3.2 等离子体刻蚀欧姆区域对表面形貌的影响 | 第43-46页 |
| 3.3 等离子体刻蚀欧姆区域对基本特性的影响 | 第46-52页 |
| 3.3.1 掩模板做掩模图形化刻蚀 | 第46-49页 |
| 3.3.2 SiN薄膜做掩模图形化刻蚀 | 第49-52页 |
| 3.4 等离子体刻蚀欧姆区域对击穿特性的影响 | 第52-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 槽栅等离子体刻蚀与氧化研究 | 第56-72页 |
| 4.1 槽栅等离子体刻蚀与氧化实验方法 | 第56-57页 |
| 4.2 槽栅等离子体刻蚀与氧化对基本电特性的影响 | 第57-66页 |
| 4.2.1 槽栅等离子体刻蚀与氧化对转移特性的影响 | 第57-61页 |
| 4.2.2 槽栅等离子体刻蚀与氧化对输出特性的影响 | 第61-63页 |
| 4.2.3 槽栅等离子体刻蚀与氧化对肖特基反向漏电的影响 | 第63-66页 |
| 4.3 槽栅等离子体刻蚀与氧化对CV特性的影响 | 第66-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-72页 |
| 第五章 结束语 | 第72-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
