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场效应器件
基于PIN的IMOS与TFET器件研究
新型氮化物InAlN半导体异质结构与HEMT器件研究
高压SOI器件耐压模型与槽型新结构
栅介质的介电特性对AlGaN/GaN MISHEMTs性能影响研究
高压低导通电阻SOI器件模型与新结构
新型碳化硅微波功率MESFET结构设计及性能分析
氮化镓基MFSFET电化学性能研究
槽型低阻SOI横向功率器件研究与设计
可降解丝素蛋白对有机场效应晶体管性能的影响
GaN基HEMT性能研究
基于吡咯并吡咯二酮的有机半导体的场效应晶体管研究
氧化物薄膜及纳米纤维场效应晶体管的制备与性能研究
基于65纳米工艺的MOS器件和环形振荡器电路的应力退化特性
沟槽MOSFET栅极多晶硅空隙缺陷问题研究及工艺优化
基于CCD传感器的高亮度LED光轴检测系统的研制
电源模块功率器件热阻及互连结构热疲劳研究
低压Sb掺杂的SnO2纳米线基场效应晶体管的研究
振动环境下VDMOS器件可靠性研究
FHXD场效应管产品降低内阻值项目研究
InAlN/AlN/GaN HFETs界面缺陷态及肖特基特性研究
微波毫米波GaN HEMT大信号模型研究
新型HEMT太赫兹动态器件的基础研究
氮化镓基高电子迁移率晶体管逆压电可靠性研究
氮化物MIS-HEMT器件界面工程研究
具有两种载流子的高压功率LDMOS的研究
利用高K绝缘介质的新型功率半导体器件的研究
基于柔性基体的InGaAs MOSFET的设计及关键工艺研究
二维层状晶体场效应器件电学性质的温度效应研究
大尺寸硅衬底GaN基HEMT外延生长研究
行扫描驱动高压SOI横向功率器件与电路特性研究
恒流负载驱动电路失效抑制技术研究
高电子迁移率晶体管微波建模与参数提取研究
双极型有机单晶场效应晶体管光电性质研究
高电子迁移率晶体管建模及参数提取
功率VDMOS器件用6英寸高性能硅外延材料的工艺研究
基于SiC MOSFET的Boost升压电路的研究
SiC功率MOSFET驱动与应用电路的研究
基于有限元方法的有机场效应晶体管的模拟研究
碳化硅MOSFET驱动技术研究
石墨烯场效应晶体管的制备及性能研究
面向亚微米工艺的PSP模型栅极隧穿电流效应自洽性修正
光刻辅助图案化精确定位有机单晶微米线阵列的制备及其器件应用研究
高开关电流比隧穿场效应晶体管器件机理与结构研究
具有n-top层的triple RESURF LDMOS器件与模型研究
有机场效应晶体管气体传感器制备工艺的研究
氮氢等离子体处理对SiC MOS栅氧化层可靠性的影响
高压功率MOSFET元胞结构的研究与优化
氮化镓基HFET低温欧姆接触和阈值电压研究
基于AlGaN/GaN异质结的ESD防护器件研究
超低比导的新型场板LDMOS研究与实现
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