| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 研究内容与论文结构 | 第18-20页 |
| 第二章 隧穿场效应晶体管结构与工艺分析 | 第20-32页 |
| 2.1 TFET工艺对比分析 | 第20-27页 |
| 2.1.1 二维TFET工艺分析 | 第20-21页 |
| 2.1.2 TFET工艺优化 | 第21-26页 |
| 2.1.3 TFET工艺缺陷分析 | 第26-27页 |
| 2.2 TFET结构对比分析 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-32页 |
| 第三章 隧穿场效应晶体管仿真模型 | 第32-48页 |
| 3.1 TFET工艺仿真模型 | 第32-44页 |
| 3.1.1 TFET离子注入及损伤模型 | 第33-36页 |
| 3.1.2 TFET扩散模型 | 第36-39页 |
| 3.1.3 TFET刻蚀模型 | 第39-41页 |
| 3.1.4 Boron离子注入缺陷集群模型 | 第41页 |
| 3.1.5 TFET工艺仿真流程搭建 | 第41-44页 |
| 3.2 TFET电学仿真模型 | 第44-47页 |
| 3.2.1 TFET隧穿机理与物理模型 | 第44-46页 |
| 3.2.2 基于TCAD的TFET电学特性仿真 | 第46-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于平面栅的TFET工艺仿真与结果分析 | 第48-60页 |
| 4.1 基于平面栅的TFET工艺仿真 | 第48-50页 |
| 4.2 仿真结果与性能分析 | 第50-58页 |
| 4.2.1 电流特性分析 | 第50-51页 |
| 4.2.2 离子注入对TFET特性的影响 | 第51-54页 |
| 4.2.3 退火工艺对TFET特性的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.4 TFET离子注入关联陷阱退火分析 | 第55-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 基于新结构的TFET工艺仿真与结果分析 | 第60-66页 |
| 5.1 基于侧墙结构的TFET工艺仿真 | 第60-61页 |
| 5.2 基于栅源覆盖结构的TFET工艺仿真 | 第61-64页 |
| 5.3 基于Pocket掺杂结构的TFET工艺仿真 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |