| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 国内研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文的架构和研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 增强型AlGaN/GaN HEMT的器件物理与流片实验 | 第12-32页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结特性 | 第12-16页 |
| 2.1.1 GaN晶体结构 | 第12-13页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质结的极化效应与 2DEG的产生 | 第13-16页 |
| 2.2 增强型AlGaN/GaN HEMT的实现方式 | 第16-19页 |
| 2.3 凹槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT的仿真分析 | 第19-22页 |
| 2.4 凹槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT的流片实验 | 第22-31页 |
| 2.4.1 蒸发欧姆金属 | 第22-23页 |
| 2.4.2 器件表面钝化 | 第23-24页 |
| 2.4.3 有源区隔离 | 第24-26页 |
| 2.4.4 新型凹槽栅刻蚀法 | 第26-28页 |
| 2.4.5 淀积栅介质与栅金属 | 第28-30页 |
| 2.4.6 器件的性能测试 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 三维围栅增强型AlGaN/GaN HEMT的仿真分析 | 第32-44页 |
| 3.1 器件结构与参数 | 第32-34页 |
| 3.2 围栅结构对载流子的调控 | 第34-37页 |
| 3.2.1 围栅对 2DEG的耗尽作用 | 第34-37页 |
| 3.2.2 围栅调制 2DEG与侧面导电通道 | 第37页 |
| 3.3 器件的直流特性的仿真分析 | 第37-43页 |
| 3.3.1 转移特性 | 第37-39页 |
| 3.3.2 输出特性 | 第39-41页 |
| 3.3.3 性能对比 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 三维隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT的仿真分析 | 第44-62页 |
| 4.1 肖特基源极器件 | 第44-47页 |
| 4.1.1 金属/AlGaN的肖特基接触特性 | 第44-45页 |
| 4.1.2 肖特基源极器件的直流特性 | 第45-47页 |
| 4.2 平面隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT的仿真 | 第47-51页 |
| 4.3 三维隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT的直流特性仿真 | 第51-61页 |
| 4.3.1 器件结构与参数 | 第51-53页 |
| 4.3.2 AlGaN厚度对肖特基势垒的调制 | 第53-56页 |
| 4.3.3 源极金属对肖特基势垒的调制 | 第56-57页 |
| 4.3.4 器件的转移特性与输出特性 | 第57-59页 |
| 4.3.5 器件的逆导特性 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 5.1 本文的主要工作 | 第62页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
