| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第18-19页 |
| 1.2 GaN材料的发展与特点 | 第19-21页 |
| 1.2.1 GaN基材料的特点 | 第19-21页 |
| 1.2.2 GaN材料的发展 | 第21页 |
| 1.3 GaN HEMT器件及电路的研究 | 第21-24页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第21-23页 |
| 1.3.2 国内研究进展 | 第23-24页 |
| 1.4 本文的研究意义与主要研究内容 | 第24-25页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第24页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第24-25页 |
| 1.5 小结 | 第25-26页 |
| 第二章 GaN HEMT器件基础 | 第26-42页 |
| 2.1 AlGaN/GaN材料体系极化效应 | 第26-27页 |
| 2.1.1 GaN基材料的自发与压电极化 | 第26-27页 |
| 2.1.2 二维电子气的产生 | 第27页 |
| 2.2 器件工作原理及主要指标介绍 | 第27-34页 |
| 2.2.1 器件的基本结构 | 第27-28页 |
| 2.2.2 器件的工作原理 | 第28-30页 |
| 2.2.3 器件的主要指标介绍 | 第30-34页 |
| 2.3 器件主要面临的问题 | 第34-38页 |
| 2.3.1 寄生效应 | 第34-35页 |
| 2.3.2 短沟道效应 | 第35-36页 |
| 2.3.3 频散效应 | 第36-37页 |
| 2.3.4 高电场强度 | 第37-38页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT器件工艺流程 | 第38-40页 |
| 2.5 小结 | 第40-42页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT欧姆接触研究 | 第42-56页 |
| 3.1 欧姆接触 | 第42-46页 |
| 3.1.1 欧姆接触基础理论 | 第42-43页 |
| 3.1.2 欧姆接触电阻率测试方法 | 第43-46页 |
| 3.2 Ka波段AlGaN/GaN HEMT器件高性能欧姆接触研究 | 第46-55页 |
| 3.2.1 正常欧姆接触结构研究 | 第46-48页 |
| 3.2.2 Recess欧姆接触结构研究 | 第48-55页 |
| 3.3 小结 | 第55-56页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件表面钝化研究 | 第56-62页 |
| 4.1 SiN_x表面钝化 | 第56-58页 |
| 4.2 Ka波段AlGaN/GaN HEMT器件SiN_x钝化研究 | 第58-61页 |
| 4.2.1 器件结构 | 第58-59页 |
| 4.2.2 性能测试 | 第59-61页 |
| 4.3 小结 | 第61-62页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT器件U型栅研究 | 第62-72页 |
| 5.1 T型栅AlGaN/GaN HEMT器件研究 | 第62-63页 |
| 5.2 U型栅脚T型栅结构AlGaN/GaN HEMT研究 | 第63-71页 |
| 5.2.1 U型栅槽刻蚀实验 | 第64-66页 |
| 5.2.2 器件结构 | 第66-67页 |
| 5.2.3 性能测试 | 第67-71页 |
| 5.3 小结 | 第71-72页 |
| 第六章 Ka波段GaN MMIC电路研究 | 第72-84页 |
| 6.1 MMIC电路器件基础 | 第72-75页 |
| 6.1.2 有源器件 | 第72-73页 |
| 6.1.3 无源器件 | 第73-75页 |
| 6.2 MMIC电路设计流程与方法 | 第75-78页 |
| 6.2.1 电路设计流程 | 第75-76页 |
| 6.2.2 电路设计方法 | 第76-78页 |
| 6.3 MMIC电路原理图设计 | 第78-83页 |
| 6.3.1 稳定性分析 | 第78-79页 |
| 6.3.2 负载牵引法 | 第79-80页 |
| 6.3.3 匹配网络设计 | 第80-82页 |
| 6.3.4 偏置网络设计 | 第82页 |
| 6.3.5 电路整体布局 | 第82-83页 |
| 6.4 小结 | 第83-84页 |
| 第七章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 致谢 | 第92-94页 |
| 作者简介 | 第94-95页 |
