| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 TFET的发展历史 | 第9-12页 |
| 1.2 TFET器件的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.3 TFET发展面临的挑战 | 第13-15页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 InAsDGTFET基本结构和SILVACO-ATLAS模型 | 第16-22页 |
| 2.1 SILVACO-ATLAS仿真软件 | 第16-20页 |
| 2.2 InAsDGTFET结构和参数 | 第20-21页 |
| 2.3 所用仿真模型介绍 | 第21-22页 |
| 第三章 InAsDGTFET器件的直流特性及其优化 | 第22-35页 |
| 3.1 InAsDGTFET的驱动电流 | 第22-25页 |
| 3.2 InAsDGTFET的I_(ON)/I_(OFF)和亚阈值斜率 | 第25-28页 |
| 3.3 器件参数优化 | 第28-33页 |
| 3.3.1 有源区掺杂浓度 | 第28-31页 |
| 3.3.2 栅功函数 | 第31-32页 |
| 3.3.3 体硅厚度 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 InAsDGTFET器件的交流特性 | 第35-50页 |
| 4.1 交流小信号模型 | 第35-40页 |
| 4.2 隧穿和沟道电阻研究 | 第40-42页 |
| 4.3 InAsDGTFET的射频特性及其稳定性研究 | 第42-48页 |
| 4.3.1 电容 | 第42-43页 |
| 4.3.2 频率 | 第43-46页 |
| 4.3.3 稳定性 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 本文总结 | 第50-51页 |
| 5.2 对后续工作的展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 附图 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |
