| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 Si基CMOS集成电路的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 Si基MOSFET面临的挑战 | 第10-11页 |
| 1.3 高k栅介质研究概况 | 第11-13页 |
| 1.4 GeOI MOS器件研究意义 | 第13-14页 |
| 1.5 GeOI及Ge MOS研究进展 | 第14-18页 |
| 1.6 本论文的主要内容 | 第18-20页 |
| 2 GeOI MOSFET阈值电压和亚阈斜率仿真研究 | 第20-30页 |
| 2.1 器件结构 | 第20-21页 |
| 2.2 模型建立 | 第21-25页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第25-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 量子效应对GeOI MOSFET电特性的影响 | 第30-39页 |
| 3.1 器件结构和模型 | 第30-32页 |
| 3.2 仿真结果与分析 | 第32-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 不同La系高k栅介质Ge MOS制备及电特性 | 第39-52页 |
| 4.1 制备工艺流程 | 第40-42页 |
| 4.2 电特性测量和电参数提取 | 第42-44页 |
| 4.3 表面预处理工艺和不同栅介质研究 | 第44-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 HfON/YON叠层高k栅介质Ge MOS电特性研究 | 第52-57页 |
| 5.1 制备流程 | 第52-53页 |
| 5.2 电特性测量与结果讨论 | 第53-56页 |
| 5.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 6 总结与展望 | 第57-60页 |
| 6.1 总结与创新点 | 第57-58页 |
| 6.2 展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |