| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-13页 |
| 1.2 垂直GaN基器件的研究历史与现状 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的主要研究内容安排 | 第15-16页 |
| 第二章 垂直AlGaN/GaN异质结器件的基本原理 | 第16-31页 |
| 2.1 III–V族氮化物材料特性 | 第16-18页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结中的二维电子气 | 第18-20页 |
| 2.3 垂直AlGaN/GaN异质结器件工作原理 | 第20-24页 |
| 2.4 垂直GaN异质结器件的工艺概述 | 第24-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 新型P型埋层GaN基垂直结构器件研究 | 第31-41页 |
| 3.1 GaN PBL-VFET器件结构与工作原理 | 第31-33页 |
| 3.2 GaN PBL-VFET电学特性分析 | 第33-35页 |
| 3.3 PBL关键技术参数优化设计 | 第35-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 具有复合电流阻挡层的新型GaN垂直结构器件 | 第41-49页 |
| 4.1 GaN CCBL-VFET器件结构与工作原理 | 第41-45页 |
| 4.2 GaN CCBL-VFET关键参数最优化设计 | 第45-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 新型电荷补偿耐压结构GaN垂直器件研究 | 第49-57页 |
| 5.1 GaN ICE-VFET器件结构与工作原理 | 第49-51页 |
| 5.2 GaN ICE-VFET关键参数设计和器件优值 | 第51-56页 |
| 5.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 全文总结 | 第57-58页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-67页 |
