| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 太赫兹调制器的国内外发展现状 | 第10-15页 |
| 1.3 论文的主要内容和各章安排 | 第15-16页 |
| 第二章 频率选择表面的仿真设计 | 第16-25页 |
| 2.1 频率选择表面的分析方法 | 第16-18页 |
| 2.2 影响频率选择表面传输特性的参数 | 第18-21页 |
| 2.2.1 FSS单元形状和尺寸 | 第18-19页 |
| 2.2.2 结构排布方式和间距 | 第19页 |
| 2.2.3 介质加载 | 第19页 |
| 2.2.4 入射波极化角度的影响 | 第19-20页 |
| 2.2.5 栅瓣现象 | 第20-21页 |
| 2.3 工字型频率选择表面的结构仿真 | 第21-23页 |
| 2.4 双导线传输线传输特性的仿真 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 pHEMT类型晶体管阵列的仿真 | 第25-35页 |
| 3.1 对比单支线pHEMT类型调制器实验结果与仿真结果 | 第25-28页 |
| 3.2 采用功分形式的调制器仿真结果 | 第28-33页 |
| 3.2.1 Wilkinson功分器的设计 | 第28-32页 |
| 3.2.2 功分形式的调制器建模以及仿真结果 | 第32-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 大信号阵列晶体管仿真 | 第35-55页 |
| 4.1 晶体管器件仿真模型 | 第35-39页 |
| 4.1.1 晶体管模型的种类 | 第35-36页 |
| 4.1.2 基于半导体器件的理论模型 | 第36页 |
| 4.1.3 数值解析模型 | 第36页 |
| 4.1.4 以测量结果为基础的模型 | 第36-39页 |
| 4.2 大信号GaAs pHEMT晶体管仿真 | 第39-47页 |
| 4.2.1 大信号阵列晶体管阻抗仿真 | 第39-44页 |
| 4.2.2 大信号情况下各个支线上电压变化情况 | 第44-47页 |
| 4.3 功分形式下GaAs pHEMT调制器整体建模及仿真 | 第47-54页 |
| 4.3.1 功分形式下阻抗仿真 | 第47-51页 |
| 4.3.2 大信号情况下支线上电压变化仿真 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 肖特基阵列二极管动态阻抗特性研究 | 第55-70页 |
| 5.1 肖特基二极管动态电阻的基本模型 | 第55-56页 |
| 5.2 单个二极管直流特性和动态特性的研究 | 第56-59页 |
| 5.2.1 二极管直流特性 | 第56-57页 |
| 5.2.2 二极管大信号状态下动态阻抗特性 | 第57-59页 |
| 5.3 单支线和功分形式阵列二极管阻抗特性 | 第59-64页 |
| 5.3.1 单支线阵列二极管的输入阻抗 | 第59-61页 |
| 5.3.2 功分形式阵列二极管的阻抗 | 第61-64页 |
| 5.4 谐波结果分析 | 第64-65页 |
| 5.5 电压仿真结果 | 第65-69页 |
| 5.5.1 单支线形式阵列二极管电压仿真结果 | 第65-67页 |
| 5.5.2 功分形式阵列二极管电压仿真结果 | 第67-69页 |
| 5.6 本章小节 | 第69-70页 |
| 第六章 结语 | 第70-72页 |
| 6.1 论文完成的工作以及创新 | 第70-71页 |
| 6.2 论文的不足以及以后工作的建议 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |