MOSFET源/漏电阻的分析与拟合计算
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 MOSFET简介 | 第10-11页 |
| 1.2 MOSFET源/漏电阻研究意义 | 第11-12页 |
| 1.3 MOSFET源/漏电阻研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 提取法和建模法的缺点 | 第14-15页 |
| 1.5 本文所做工作 | 第15-17页 |
| 第二章 源/漏电阻的研究方法 | 第17-34页 |
| 2.1 源/漏电阻的提取方法 | 第17-24页 |
| 2.1.1 沟道电阻法 | 第17-18页 |
| 2.1.2 新型的提取方法 | 第18-24页 |
| 2.2 源/漏电阻的建模方法 | 第24-26页 |
| 2.2.1 数值法和解析法及其优缺点 | 第25-26页 |
| 2.2.2 半解析法 | 第26页 |
| 2.3 建模方法举例说明 | 第26-33页 |
| 2.3.1 基于物理的半经验R_(sd)模型 | 第26-29页 |
| 2.3.2 二维半解析R_(sd)模型 | 第29-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于数值模拟的源/漏本征电阻的分析与拟合 | 第34-54页 |
| 3.1 基于数值模拟的分析与拟合方法简介 | 第34页 |
| 3.2 源/漏电阻的提取 | 第34-36页 |
| 3.3 提取的源/漏电阻数据 | 第36-47页 |
| 3.4 电阻计算公式的拟合算法 | 第47-51页 |
| 3.4.1 提取数据的分析 | 第47-49页 |
| 3.4.2 拟合算法的说明 | 第49-51页 |
| 3.5 源/漏电阻计算公式的拟合 | 第51-53页 |
| 3.5.1 电阻公式拟合 | 第51-52页 |
| 3.5.2 综合的电阻公式拟合 | 第52-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 提取和拟合的验证与分析 | 第54-59页 |
| 4.1 源/漏电阻拟合结果验证 | 第54-56页 |
| 4.2 源/漏电阻的分析和结论 | 第56-58页 |
| 4.2.1 影响源/漏电阻的主要参数 | 第56页 |
| 4.2.2 源/漏电极的电流拥挤 | 第56-57页 |
| 4.2.3 沟道长度对源/漏电阻的影响 | 第57页 |
| 4.2.4 源/漏本征电阻的计算表达式 | 第57-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第66页 |
| 参与的科研项目 | 第66页 |
