| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 电力电子器件的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 碳化硅MOSFET的研究意义及国内外发展现状 | 第10-13页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 碳化硅功率器件基础 | 第15-24页 |
| 2.1 碳化硅材料 | 第15-17页 |
| 2.1.1 碳化硅材料的特性 | 第15-16页 |
| 2.1.2 碳化硅晶体结构 | 第16-17页 |
| 2.2 功率MOSFET基础 | 第17-18页 |
| 2.3 碳化硅单极型器件的理论计算 | 第18-21页 |
| 2.4 碳化硅MOSFET的典型结构 | 第21-22页 |
| 2.4.1 碳化硅UMOSFET的结构 | 第21页 |
| 2.4.2 碳化硅VDMOSFET的结构 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 碳化硅MOSFET的模型校正及其设计优化 | 第24-45页 |
| 3.1 器件设计中Atlas采用物理模型以及校正 | 第24-28页 |
| 3.1.1 飘移扩散模型 | 第24-25页 |
| 3.1.2 迁移率模型及其校正 | 第25-27页 |
| 3.1.3 不完全离化模型及其校正 | 第27页 |
| 3.1.4 碰撞电离模型及其校正 | 第27-28页 |
| 3.2 界面态模型的引入 | 第28-30页 |
| 3.3 碳化硅MOSFET器件特性的Atlas仿真验证 | 第30-34页 |
| 3.3.1 碳化硅MOSFET转移特性的仿真 | 第31-33页 |
| 3.3.2 器件正向导通特性的仿真 | 第33-34页 |
| 3.3.3 器件击穿特性的仿真 | 第34页 |
| 3.4 碳化硅MOSFET参数的优化 | 第34-43页 |
| 3.4.1 N型漂移区厚度以及掺杂浓度的设计和优化 | 第36-37页 |
| 3.4.2 JFET区宽度和掺杂浓度的设计和优化 | 第37-40页 |
| 3.4.3 P型体区的设计和优化 | 第40-41页 |
| 3.4.4 沟道的设计和优化 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 具有新型结构的碳化硅MOSFET的设计和优化 | 第45-54页 |
| 4.1 具有n型电流扩展层的碳化硅MOSFET的设计和优化 | 第45-49页 |
| 4.1.1 具有n型电流扩展层的碳化硅MOSFET的结构 | 第45-46页 |
| 4.1.2 具有n型电流扩展层的碳化硅碳化硅MOSFET的仿真与优化 | 第46-49页 |
| 4.2 碳化硅Super Junction MOSFET的设计和优化 | 第49-53页 |
| 4.2.1 碳化硅Super Junction MOSFET的结构 | 第49-50页 |
| 4.2.2 碳化硅Super Junction MOSFET的仿真与优化 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 附录A 攻读学位期间获得的研究成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
