摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-53页 |
1.1 贵金属材料的光学性质 | 第12-14页 |
1.2 局域表面等离激元 | 第14-27页 |
1.2.1 散射吸收截面与场增强 | 第15-20页 |
1.2.2 散射光的方向分布 | 第20-24页 |
1.2.3 散射光的相位突变 | 第24-27页 |
1.3 表面等离激元 | 第27-30页 |
1.3.1 表面等离激元 | 第27-30页 |
1.3.2 表面等离激元的激发、探测与应用 | 第30页 |
1.4 超表面 | 第30-34页 |
1.4.1 超表面的设计理念 | 第31页 |
1.4.2 超表面的应用 | 第31-34页 |
1.5 数值计算方法 | 第34-40页 |
1.5.1 时域有限差分(FDTD)方法简介 | 第34-36页 |
1.5.2 周期结构的模拟方法与S参数 | 第36-38页 |
1.5.3 孤立结构的全场-散射场(TFSF)方法 | 第38-40页 |
1.6 本论文的研究工作 | 第40-41页 |
参考文献 | 第41-53页 |
第二章 基于MIM结构的反射式宽带响应半波片 | 第53-71页 |
2.1 引言 | 第53-54页 |
2.2 单层超表面波片 | 第54-57页 |
2.2.1 多个LSP共振间的突变相位差 | 第55页 |
2.2.2 单层超表面波片设计与存在的问题 | 第55-57页 |
2.3 MIM结构的多光束干涉理论 | 第57-59页 |
2.4 高效宽带响应波片的设计 | 第59-67页 |
2.4.1 超晶胞设计在宽带波片中的应用 | 第64-67页 |
2.5 本章小结 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-71页 |
第三章 基于硅纳米线阵列的高效率1/4波片 | 第71-89页 |
3.1 引言 | 第71-74页 |
3.2 硅纳米线支持的共振模式 | 第74-76页 |
3.3 惠更斯点源与前向散射 | 第76-79页 |
3.4 耦合偶极阵列模型 | 第79-80页 |
3.5 基于硅纳米线阵列的1/4波片设计 | 第80-84页 |
3.6 本章小结 | 第84-85页 |
参考文献 | 第85-89页 |
第四章 基于L型天线的单向SPP激发及偏振调控 | 第89-121页 |
4.1 引言 | 第89-90页 |
4.2 偶极辐射激发SPP | 第90-101页 |
4.2.1 点电偶极子辐射近场激发SPP | 第90-94页 |
4.2.2 二维圆偏振偶极辐射的近场干涉与单向SPP的激发 | 第94-98页 |
4.2.3 多偶极子辐射的远场干涉与单向SPP激发 | 第98-100页 |
4.2.4 SPP的激发效率 | 第100-101页 |
4.3 V型天线的模式分析 | 第101-103页 |
4.3.1 单根纳米棒的电偶极子和电四极子模式 | 第101-102页 |
4.3.2 V天线的对称和反对称模式 | 第102-103页 |
4.4 基于直立L天线的单向可控SPP激发 | 第103-117页 |
4.4.1 直立L天线中椭圆偏振偶极的激发 | 第103-106页 |
4.4.2 入射光偏振控制的单向SPP激发 | 第106-113页 |
4.4.3 SPP干涉模型与偏振态调控 | 第113-117页 |
4.5 本章小结 | 第117-118页 |
参考文献 | 第118-121页 |
第五章 总结与展望 | 第121-123页 |
致谢 | 第123-125页 |
在读期间取得的研究成果 | 第125页 |