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单元抗辐射性能建模方法研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第16-30页
    1.1 研究背景及意义第16-17页
    1.2 国内外研究现状第17-25页
        1.2.1 工程背景第17-19页
        1.2.2 概率分布模型的研究现状第19-20页
        1.2.3 性能退化模型的研究现状第20-23页
        1.2.4 数据融合技术的研究现状第23-25页
    1.3 存在的问题及解决问题的思路第25-27页
        1.3.1 存在的问题第25-26页
        1.3.2 解决问题的思路第26-27页
    1.4 主要内容和创新点第27-30页
        1.4.1 主要内容和结构安排第27-28页
        1.4.2 论文创新点第28-30页
第2章 相关理论基础第30-49页
    2.1 空间辐射效应第30-41页
        2.1.1 辐射损伤模式第31-32页
        2.1.2 单粒子效应第32-33页
        2.1.3 总剂量效应第33-38页
        2.1.4 位移损伤效应第38-41页
    2.2 辐射效应试验第41-47页
        2.2.1 地面模拟试验第41-45页
        2.2.2 数值模拟方法第45-46页
        2.2.3 抗辐射性能试验数据第46-47页
    2.3 抗辐射性能评估指标第47-49页
        2.3.1 总剂量效应第47-48页
        2.3.2 单粒子效应第48-49页
第3章 基于概率分布模型的单元抗辐射性能研究第49-67页
    3.1 成败型模型第50-52页
        3.1.1 经典方法第50页
        3.1.2 Bayes方法第50-51页
        3.1.3 示例分析第51-52页
    3.2 Weibull分布第52-60页
        3.2.1 经典方法第53-56页
        3.2.2 Bayes方法第56-58页
        3.2.3 无失效数据情形第58页
        3.2.4 示例分析第58-60页
    3.3 对数正态分布模型第60-65页
        3.3.1 经典方法第60-62页
        3.3.2 Bayes方法第62-65页
        3.3.3 示例分析第65页
    3.4 本章小结第65-67页
第4章 基于性能退化模型的单元抗辐射性能研究第67-87页
    4.1 退化轨道模型第68-75页
        4.1.1 模型定义第68-69页
        4.1.2 参数估计第69-70页
        4.1.3 示例分析第70-75页
    4.2 Wiener退化过程第75-79页
        4.2.1 模型定义第75-76页
        4.2.2 参数估计第76-78页
        4.2.3 示例分析第78-79页
    4.3 Gamma退化过程第79-86页
        4.3.1 模型定义第79-81页
        4.3.2 参数估计第81-83页
        4.3.3 示例分析第83-86页
    4.4 本章小结第86-87页
第5章 基于数据融合技术的单元抗辐射性能研究第87-99页
    5.1 不同条件数据融合第89-91页
    5.2 不同类型数据融合第91-93页
    5.3 不同来源数据融合第93-97页
        5.3.1 相关函数第93-94页
        5.3.2 基于相关函数的数据融合方法第94-96页
        5.3.3 示例分析第96-97页
    5.4 本章小结第97-99页
第6章 实例分析第99-123页
    6.1 功率MOS器件工作原理第99-104页
        6.1.1 基本原理第99-100页
        6.1.2 电参数模型第100-104页
    6.2 辐射损伤机理第104-106页
    6.3 抗辐射性能建模与评估第106-123页
        6.3.1 样本数据第107-110页
        6.3.2 性能退化模型建模及参数估计第110-123页
结论第123-125页
参考文献第125-133页
致谢第133-135页
附录A 攻读博士学位期间所发表的学术论文目录第135-136页
附录B 攻读博士学位期间所参与的课题第136页

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