| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 功率器件的发展概况 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本课题研究主要内容 | 第13-14页 |
| 1.4 本课题研究目的与意义 | 第14-16页 |
| 第二章 VDMOS工艺原理与结构的建立 | 第16-20页 |
| 2.1 VDMOS工艺与原理 | 第16-17页 |
| 2.2 VDMOS的I-V特性 | 第17-18页 |
| 2.3 VDMOS器件结构的建立与仿真 | 第18-20页 |
| 第三章 VDMOS击穿电压与导通电阻的研究 | 第20-28页 |
| 3.1 击穿电压与导通电阻的主要影响因素 | 第20-26页 |
| 3.1.1 外延层厚度对击穿电压和导通电阻的影响 | 第20-25页 |
| 3.1.2 外延层掺杂浓度对击穿电压和导通电阻的影响 | 第25-26页 |
| 3.2 本章研究结果对VDMOS设计优化的指导作用 | 第26-27页 |
| 3.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 VDMOS的电场分布与准饱和效应 | 第28-42页 |
| 4.1 电场对器件性能的影响 | 第28-29页 |
| 4.2 外延层厚度对电场分布的影响 | 第29-31页 |
| 4.3 外延层掺杂浓度对电场分布的影响 | 第31-33页 |
| 4.4 P-body间距对电场分布的影响 | 第33-34页 |
| 4.5 P-body结深对电场分布的影响 | 第34-37页 |
| 4.6 栅源电压(V_(GS))改变对VDMOS电场的影响 | 第37-39页 |
| 4.7 源漏电压(V_(DS))改变对VDMOS电场的影响 | 第39-40页 |
| 4.8 本章研究结果对VDMOS设计优化的指导作用 | 第40-41页 |
| 4.9 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 定量分析结构参数对击穿电压和导通电阻的影响 | 第42-43页 |
| 5.1 外延层厚度对击穿电压和导通电阻影响的定量分析 | 第42页 |
| 5.2 外延层掺杂浓度对击穿电压和导通电阻影响的定量分析 | 第42-43页 |
| 第六章 VDMOS寄生电容的研究 | 第43-49页 |
| 6.1 外延层厚度对源漏之间电容分布的影响 | 第44-45页 |
| 6.2 外延层掺杂浓度对源漏之间电容分布的影响 | 第45-46页 |
| 6.3 栅源电压(V_(GS))对源漏之间电容分布的影响 | 第46-48页 |
| 6.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第七章 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 在学期间的研究成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
