| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 Si集成电路工艺发展及其局限性 | 第10-11页 |
| 1.2 高k栅介质研究概况 | 第11-13页 |
| 1.3 In GaAs nMOSFETs电子迁移率模型研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 GaAs MOS器件研究现状 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的主要内容及其安排 | 第15-17页 |
| 2 Al_2O_3/In_xGa_(1-x)As nMOSFETs电子迁移率模型 | 第17-28页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 模型建立 | 第17-20页 |
| 2.3 模拟结果及讨论 | 第20-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 3 堆栈高k栅介质In GaAs nMOSFETs电子迁移率模型 | 第28-44页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 模型建立 | 第28-38页 |
| 3.3 仿真结果及讨论 | 第38-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 高k栅介质GaAs MOS器件界面及电特性研究 | 第44-50页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 实验工艺及测量方法 | 第44-46页 |
| 4.3 实验过程 | 第46-47页 |
| 4.4 电特性测量及结果分析 | 第47-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 5 NH_3等离子体处理对GaAs MOS界面和电特性的影响 | 第50-54页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 实验过程 | 第50-51页 |
| 5.3 电特性测量及结果分析 | 第51-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 6 总结及展望 | 第54-58页 |
| 6.1 总结与创新点 | 第54-56页 |
| 6.2 展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65页 |
