| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第17-19页 |
| 1.3 论文的主要工作和组织安排 | 第19-22页 |
| 第二章 辐射环境及辐射效应机理研究 | 第22-36页 |
| 2.1 辐射环境 | 第22-26页 |
| 2.1.1 空间辐射环境 | 第22-24页 |
| 2.1.2 大气辐射环境 | 第24-25页 |
| 2.1.3 核辐射环境 | 第25-26页 |
| 2.2 单粒子翻转效应 | 第26-28页 |
| 2.2.1 电荷产生 | 第26-27页 |
| 2.2.2 电荷收集 | 第27-28页 |
| 2.2.3 其他单粒子效应介绍 | 第28页 |
| 2.3 瞬时剂量率效应 | 第28-30页 |
| 2.3.1 瞬时剂量率效应介绍 | 第28-29页 |
| 2.3.2 能量沉积与电荷的转换 | 第29-30页 |
| 2.3.3 单粒子翻转与瞬时剂量率效应的区别 | 第30页 |
| 2.4 SRAM 6管单元的翻转 | 第30-33页 |
| 2.4.1 SRAM 6 管单元工作原理 | 第30-32页 |
| 2.4.2 SRAM 6 管单元翻转机理 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-36页 |
| 第三章 FinFET SRAM的中子瞬时剂量率效应仿真分析 | 第36-56页 |
| 3.1 仿真平台 | 第36-39页 |
| 3.1.1 Geant4软件介绍 | 第37-38页 |
| 3.1.2 Sentaurus TCAD软件介绍 | 第38-39页 |
| 3.2 FinFET器件模型的介绍与拟合 | 第39-42页 |
| 3.2.1 BSIM-CMG器件模型介绍 | 第39-40页 |
| 3.2.2 器件模型的特性曲线 | 第40-42页 |
| 3.3 FinFET的中子瞬时剂量率器件模拟结果与分析 | 第42-47页 |
| 3.3.1 粒子输运 | 第43-44页 |
| 3.3.2 器件级仿真 | 第44-46页 |
| 3.3.3 仿真结果分析 | 第46-47页 |
| 3.4 FinFET SRAM电路模拟结果与分析 | 第47-48页 |
| 3.4.1 电路级仿真 | 第47-48页 |
| 3.4.2 仿真结果分析 | 第48页 |
| 3.5 与平面 65nm MOSFET SRAM的对比分析 | 第48-52页 |
| 3.5.1 仿真结果 | 第48-51页 |
| 3.5.2 对比分析 | 第51-52页 |
| 3.6 FinFET SRAM电路级加固 | 第52-54页 |
| 3.6.1 加固方式 | 第52-53页 |
| 3.6.2 加固验证 | 第53-54页 |
| 3.7 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 FinFET SRAM的中子单粒子翻转效应仿真分析 | 第56-68页 |
| 4.1 仿真平台 | 第56-58页 |
| 4.1.1 Talys核物理计算 | 第56-57页 |
| 4.1.2 TCAD仿真 | 第57-58页 |
| 4.2 次级粒子模拟 | 第58-60页 |
| 4.2.1 中子与硅原子相互作用 | 第59页 |
| 4.2.2 中子与氧原子相互作用 | 第59-60页 |
| 4.3 FinFET SRAM标准单元三维模型 | 第60-63页 |
| 4.3.1 FinFET SRAM三维建模 | 第61-62页 |
| 4.3.2 粒子轨迹生成 | 第62-63页 |
| 4.4 FinFET SRAM电路级仿真 | 第63-65页 |
| 4.4.1 单粒子翻转仿真 | 第63-64页 |
| 4.4.2 敏感节点电压翻转结果 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 工作总结 | 第68-69页 |
| 5.2 论文存在的不足及工作展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
