| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第12-14页 |
| 第2章 GaN基HEMT器件仿真模型建立 | 第14-26页 |
| 2.1 各测量设备简介 | 第14-15页 |
| 2.1.1 红外热像仪 | 第14页 |
| 2.1.2 扫描电镜 | 第14-15页 |
| 2.2 仿真模型建立 | 第15-21页 |
| 2.2.1 仿真软件选择 | 第15-17页 |
| 2.2.2 物理模型建立 | 第17-21页 |
| 2.3 仿真模型验证 | 第21-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-26页 |
| 第3章 几何尺寸参数对GaN基HEMT器件稳态热特性的影响 | 第26-38页 |
| 3.1 栅极长度对GaN基HEMT器件稳态热特性的影响 | 第26-29页 |
| 3.1.1 模拟过程 | 第26-27页 |
| 3.1.2 模拟结果与讨论 | 第27-29页 |
| 3.2 栅极间距对GaN基HEMT器件稳态热特性的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.1 模拟过程 | 第29-30页 |
| 3.2.2 模拟结果与讨论 | 第30-31页 |
| 3.3 GaN层厚度对GaN基HEMT器件稳态热特性的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.1 模拟过程 | 第31页 |
| 3.3.2 模拟结果与讨论 | 第31-32页 |
| 3.4 GaN层厚度对GaN基HEMT器件稳态热特性的影响 | 第32-34页 |
| 3.4.1 模拟过程 | 第33页 |
| 3.4.2 模拟结果与讨论 | 第33-34页 |
| 3.5 衬底厚度对GaN基HEMT器件稳态热特性的影响 | 第34-36页 |
| 3.5.1 模拟过程 | 第34-35页 |
| 3.5.2 模拟结果与讨论 | 第35-36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 GaN基HEMT器件瞬态热特性模拟 | 第38-50页 |
| 4.1 模型选择及脉冲设置 | 第38-41页 |
| 4.2 频率对GaN基HEMT器件瞬态热特性的影响 | 第41-44页 |
| 4.2.1 模拟过程 | 第41页 |
| 4.2.2 模拟结果与讨论 | 第41-44页 |
| 4.3 占空比对GaN基HEMT器件瞬态热特性的影响 | 第44-48页 |
| 4.3.1 模拟过程 | 第44页 |
| 4.3.2 模拟结果与讨论 | 第44-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
