| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 为什么要研究In As/AlSb HEMT | 第16-18页 |
| 1.2 研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 本文主要内容与安排 | 第19-22页 |
| 第二章 器件构成与机理 | 第22-30页 |
| 2.1 In As | 第22-23页 |
| 2.2 In As/AlSb异质结 | 第23-24页 |
| 2.3 In As/AlSb HEMT | 第24-26页 |
| 2.4 HEMT工作原理 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小节 | 第28-30页 |
| 第三章 器件电学特性仿真 | 第30-48页 |
| 3.1 Sentaurus TCAD简介 | 第30页 |
| 3.2 器件物理模型 | 第30-37页 |
| 3.2.1 静电势与准费米势模型 | 第30-31页 |
| 3.2.2 载流子输运模型 | 第31-33页 |
| 3.2.3 迁移率模型 | 第33-35页 |
| 3.2.4 产生-复合模型 | 第35-37页 |
| 3.3 仿真过程及结果 | 第37-45页 |
| 3.3.1 仿真结构 | 第37-38页 |
| 3.3.2 直流特性 | 第38-43页 |
| 3.3.3 交流特性 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小节 | 第45-48页 |
| 第四章 In As/AlSb HEMT制备工艺初步探索 | 第48-62页 |
| 4.1 In As/AlSb HEMT制备工艺流程 | 第48-49页 |
| 4.2 欧姆接触 | 第49-55页 |
| 4.2.1 源漏寄生电阻对HEMT特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.2 传输线模型测量接触电阻 | 第50-53页 |
| 4.2.3 结果分析 | 第53-55页 |
| 4.3 台面隔离 | 第55-57页 |
| 4.4 肖特基栅 | 第57-58页 |
| 4.5 器件测试结果 | 第58-59页 |
| 4.6 本章小节 | 第59-62页 |
| 第五章 InAs/AlSb MOS-HEMT研究 | 第62-76页 |
| 5.1 InAs/AlSb MOS-HEMT仿真 | 第62-65页 |
| 5.1.1 直流特性 | 第62-64页 |
| 5.1.2 交流特性 | 第64-65页 |
| 5.2 Al_2O_3/InAlAs MOS结构导电机制分析 | 第65-75页 |
| 5.2.1 正向偏置 | 第66-69页 |
| 5.2.2 反向偏置 | 第69-75页 |
| 5.3 本章小节 | 第75-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-80页 |
| 6.1 总结 | 第76-77页 |
| 6.2 展望 | 第77-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 作者简介 | 第90-91页 |
