| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-24页 |
| 1.1 GaN基HEMT器件概述 | 第18-19页 |
| 1.2 GaN基HEMT器件国内外研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 本文主要任务及安排 | 第21-24页 |
| 第二章 垂直型GaN基HEMT的工作原理 | 第24-38页 |
| 2.1 垂直型GaN基HEMT的基本原理 | 第24-28页 |
| 2.1.1 垂直型GaN基HEMT器件的基本结构 | 第24页 |
| 2.1.2 二维电子气的形成原理 | 第24-26页 |
| 2.1.3 传统垂直型GaN基HEMT的工作机理及工艺流程 | 第26-28页 |
| 2.2 传统垂直型GaN基HEMT器件的耐压特性 | 第28-34页 |
| 2.2.1 传统垂直型GaN基HEMT器件的导通特性 | 第28-32页 |
| 2.2.2 传统垂直型GaN基HEMT器件的阻断特性 | 第32-34页 |
| 2.3 现有垂直型GaN基HEMT器件结构及其特点 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 阶梯阻挡层垂直型GaN基HEMT器件耐压特性研究 | 第38-72页 |
| 3.1 双阶梯CBL垂直型GaN基HEMT器件的耐压特性研究 | 第38-53页 |
| 3.1.1 双水平阶梯CBL垂直型GaN基HEMT器件的耐压特性研究 | 第38-44页 |
| 3.1.2 双竖直阶梯CBL垂直器件的耐压特性研究 | 第44-50页 |
| 3.1.3 掺杂相同浓度的阶梯CBL垂直器件的耐压特性研究 | 第50-53页 |
| 3.2 三个阶梯CBL垂直器件的耐压特性研究 | 第53-60页 |
| 3.2.1 三水平阶梯CBL垂直器件的耐压特性研究 | 第54-57页 |
| 3.2.2 三竖直阶梯CBL垂直器件的耐压特性研究 | 第57-60页 |
| 3.3 双阶梯PEL垂直型GaN基HEMT器件的耐压特性研究 | 第60-69页 |
| 3.3.1 双水平阶梯PEL器件的耐压特性研究 | 第60-66页 |
| 3.3.2 双竖直阶梯PEL垂直器件的耐压特性研究 | 第66-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-72页 |
| 第四章 高耐压垂直型GaN器件的新结构设计与仿真研究 | 第72-92页 |
| 4.1 半超结垂直器件的耐压特性研究 | 第72-80页 |
| 4.1.1 半超结垂直器件的结构和工作机理 | 第72-73页 |
| 4.1.2 半超结器件的仿真研究 | 第73-77页 |
| 4.1.3 浓度对器件特性的影响 | 第77-78页 |
| 4.1.4 半超结长度对器件特性的影响 | 第78-80页 |
| 4.2 高K介质垂直型GaN基HEMT器件的耐压特性研究 | 第80-85页 |
| 4.2.1 高K介质和超结垂直型GaN基HEMT器件结构 | 第81-82页 |
| 4.2.2 高K介质垂直器件和超结垂直器件的仿真研究 | 第82-85页 |
| 4.3 高K介质上生长CBL垂直器件的耐压特性研究 | 第85-91页 |
| 4.3.1 高K介质上生长CBL垂直器件的结构 | 第85-86页 |
| 4.3.2 高K介质上生长CBL垂直器件的仿真研究 | 第86-89页 |
| 4.3.3 电流阻挡层的长度对器件特性的影响 | 第89页 |
| 4.3.4 电流阻挡层的厚度对器件特性的影响 | 第89-90页 |
| 4.3.5 电流阻挡层的掺杂浓度对器件特性的影响 | 第90-91页 |
| 4.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 5.1 总结 | 第92-93页 |
| 5.2 展望 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 致谢 | 第98-100页 |
| 作者简介 | 第100-101页 |
