| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| 1.1 GaN基材料特性及其发展 | 第18-20页 |
| 1.1.1 III-V族半导体材料GaN的特性 | 第18-19页 |
| 1.1.2 基于GaN材料的HEMT器件的历史进程 | 第19-20页 |
| 1.2 GaN基异质结材料及器件的发展状况 | 第20-24页 |
| 1.2.1 GaN基FinFET结构器件的研究进展及意义 | 第20-23页 |
| 1.2.2 双沟道Al GaN/Ga N异质结材料与器件的研究进展 | 第23-24页 |
| 1.3 本论文的研究内容和安排 | 第24-26页 |
| 第二章 GaN HEMT器件基本原理 | 第26-36页 |
| 2.1 HEMT器件的工作原理 | 第26-28页 |
| 2.2 HEMT器件工艺 | 第28-30页 |
| 2.3 Fin FET的关键工艺 | 第30-32页 |
| 2.4 TCAD仿真工具与物理模型 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 Fin FET器件特性分析 | 第36-66页 |
| 3.1 Fin FET器件实验特性分析 | 第36-38页 |
| 3.2 Fin宽对Fin FET器件直流特性的影响 | 第38-44页 |
| 3.3 侧栅高度对Fin FET器件直流特性的影响 | 第44-48页 |
| 3.4 栅长对Fin FET器件直流特性的影响 | 第48-63页 |
| 3.5 Al组分对Fin FET器件直流特性的影响 | 第63-64页 |
| 3.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 新型双沟道Fin FET器件的直流特性 | 第66-76页 |
| 4.1 常规单双沟道HEMT器件的直流特性 | 第66-68页 |
| 4.2 双沟道Fin FET的器件特性 | 第68-74页 |
| 4.2.1 单双沟道Fin FET器件的直流特性 | 第68-70页 |
| 4.2.2 Fin宽对双沟道Fin FET器件的影响 | 第70-71页 |
| 4.2.3 不同Al Ga N势垒层厚度对双沟道Fin FET器件的影响 | 第71-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-88页 |
