当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
SOI、SGOI、GOI材料制备技术研究
太阳能硅片电磨削多线切割技术基础研究
芳杂环取代的9,9-氧杂蒽螺芴基空穴传输材料的合成及其应用研究
深紫外光刻投影物镜热像差仿真研究
宽禁带半导体光电功能材料的理论研究
高NA投影光刻物镜波像差检测技术研究
有机/无机半导体异质结构的光电性能研究
基于能带调控的单层MoS2掺杂仿真研究
AlN缓冲层和p型Al0.55Ga0.45N的生长与表征
金刚线切多晶黑硅的制备及性能研究
GaAs基光电导开关灵敏度的研究
GaAs光导开关的耐压研究
二维原子晶体材料SnSe_x的制备及其器件特性
新型稀磁半导体的先进谱学表征和性能研究
高分辨电子显微学方法及其在半导体材料研究中的应用
黑磷的电学性能调控及其逻辑器件的制备与表征
带偏角4H-SiC同质外延生长和拉曼散射研究
磁控溅射法制备硅碳氮薄膜的研究
磁控溅射和高温氨化两步法制备AlGaN薄膜
磁控溅射法制备ZnO纳米薄膜及其光电特性研究
二维材料光电性质改性的第一性原理研究
基于机器视觉的刀口运动特性测量技术
表面等离子体超分辨光刻装置关键技术研究
半导体0.18um工艺金属层MUV光刻技术研究及优化
InAlN/GaN异质结电学性模拟和物性研究
掺杂无定形有机半导体的载流子传输与激子动力学研究
微纳米GaN衬底模板制备及外延研究
新型有机半导体材料电荷传输性能及机理的理论研究
半导体硅和锗的磁电阻性能研究和应用
基于云制造的半导体制造管理系统终端研究
半导体晶圆制造系统的瓶颈管理及调度优化研究
酞菁类n型半导体材料的合成及性质表征
受主掺杂SnO2基稀磁半导体的结构及磁性的研究
基于AZO籽晶层生长ZnO纳米棒阵列异质结光电响应特性的研究
磷化铟量子点及其碳纳米杂化材料的制备与光电性能研究
尺寸、温度和压强对层状半导体材料的禁带宽度和弹性模量的影响
InGaN/GaN异质结构的侧向外延生长及纳米线发光器件研究
图案化蓝宝石衬底及硅纳米线的制备
拓扑绝缘体Bi2Se3纳米线的微加工及自旋注入检测
Si(111)上AIN薄膜的生长与研究
利用旋涂掺杂工艺与激光退火技术制备高性能Ge器件的研究
GaN衬底材料相关技术研究
TiZnSnO非晶氧化物半导体薄膜制备及应用研究
重掺杂直拉硅单晶的氧化诱生层错
半导体基局域表面等离激元材料合成及其性能研究
铜掺杂氧化锌稀磁半导体的缺陷结构、磁学操纵与光电响应性能研究
ZnO微纳米柱的选择生长与性质研究
二维半导体器件电子输运性质研究
电子束光刻的三维微结构的模拟计算
纳米光栅的位相掩膜相干光光刻方法与工艺研究
上一页
[32]
[33]
[34]
[35]
[36]
下一页