| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 主要符号对照表 | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-30页 |
| 1.1 无定形有机半导体的载流子传输理论 | 第12-19页 |
| 1.1.1 载流子的跳跃传输 | 第12-13页 |
| 1.1.2 无定形有机半导体的宏观迁移率模型 | 第13-17页 |
| 1.1.3 影响无定形有机半导体迁移率的因素 | 第17-19页 |
| 1.2 掺杂无定形有机半导体的载流子传输研究现状 | 第19-23页 |
| 1.2.1 杂质能级对无定形有机半导体迁移率的影响 | 第19-21页 |
| 1.2.2 杂质浓度对无定形有机半导体迁移率的影响 | 第21-23页 |
| 1.3 掺杂无定形有机半导体的激子动力学研究现状 | 第23-28页 |
| 1.3.1 有机半导体中的激子动力学过程 | 第23-26页 |
| 1.3.2 OLED器件的效率滚降研究现状 | 第26-27页 |
| 1.3.3 激子动力学过程对OLED器件寿命的影响 | 第27-28页 |
| 1.4 论文工作思路及主要内容 | 第28-30页 |
| 第二章 实验方法 | 第30-36页 |
| 2.1 实验试剂 | 第30页 |
| 2.2 器件制备 | 第30-32页 |
| 2.2.1 基片清洗 | 第31页 |
| 2.2.2 有机薄膜和金属阴极的真空蒸镀 | 第31-32页 |
| 2.2.3 器件封装 | 第32页 |
| 2.3 薄膜形貌表征 | 第32页 |
| 2.4 测量迁移率的渡越时间法 | 第32-34页 |
| 2.4.1 渡越时间法（time-of-fly，TOF）的原理 | 第32-33页 |
| 2.4.3 渡越时间的确定 | 第33-34页 |
| 2.5 OLED器件性能测试 | 第34-36页 |
| 2.5.1 发光性能测试 | 第34-35页 |
| 2.5.2 光电性能测试 | 第35-36页 |
| 第三章 计算方法 | 第36-42页 |
| 3.1 载流子传输的蒙特卡洛模拟 | 第36-38页 |
| 3.2 激子动力学稳态的计算模拟 | 第38-42页 |
| 3.2.1 效率滚降的计算 | 第38-40页 |
| 3.2.2 器件寿命的模拟 | 第40-42页 |
| 第四章 掺杂无定形有机半导体中的陷阱效应研究 | 第42-67页 |
| 4.1 研究背景 | 第42-43页 |
| 4.2 迁移率 | 第43-50页 |
| 4.2.1 室温下迁移率随陷阱深度的变化 | 第43-47页 |
| 4.2.2 载流子的陷阱捕获-逃逸模型 | 第47-50页 |
| 4.3 能量无序度和活化能 | 第50-51页 |
| 4.4 蒙特卡洛模拟 | 第51-55页 |
| 4.4.1 MC模拟的渡越时间分布 | 第52-53页 |
| 4.4.2 传输路径和有效能量无序度 | 第53-55页 |
| 4.5 “竞争性”跳跃传输模型 | 第55-65页 |
| 4.5.1 传输能级的计算 | 第56-57页 |
| 4.5.2 载流子到传输能级的跳跃几率 | 第57-58页 |
| 4.5.3 迁移率计算 | 第58-59页 |
| 4.5.4 迁移率-温度关系 | 第59-61页 |
| 4.5.5 迁移率-载流子浓度关系 | 第61-63页 |
| 4.5.6 迁移率-陷阱深度关系 | 第63-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 掺杂无定形有机半导体的迁移率与掺杂浓度的关系研究 | 第67-81页 |
| 5.1 研究背景 | 第67-68页 |
| 5.2 薄膜结构特性 | 第68-71页 |
| 5.2.1 X射线衍射图谱分析 | 第68-69页 |
| 5.2.2 电子显微镜分析 | 第69-70页 |
| 5.2.3 原子力显微镜分析 | 第70-71页 |
| 5.3 迁移率随掺杂浓度的变化规律 | 第71-76页 |
| 5.3.1 不同掺杂浓度下的瞬态曲线 | 第71-72页 |
| 5.3.2 迁移率-掺杂浓度关系 | 第72-76页 |
| 5.4 基于电子转移通道的键渗流传输机理 | 第76-79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-81页 |
| 第六章 基于激子动力学的热活化敏化发光的效率滚降及寿命模拟研究 | 第81-104页 |
| 6.1 研究背景 | 第81-83页 |
| 6.2 主客体掺杂型OLED发光器件的效率滚降对比研究 | 第83-96页 |
| 6.2.1 不同发光机理的效率滚降的比较 | 第83-88页 |
| 6.2.2 荧光辐射速率和ΔEST对TADF器件的效率滚降的影响 | 第88-91页 |
| 6.2.3 基于PBICT:Ir(ppy)3 的热活化敏化发光器件的效率滚降模拟 | 第91-96页 |
| 6.3 TADF及热活化敏化发光器件的寿命模拟研究 | 第96-102页 |
| 6.3.1 不同发光机理的器件寿命的比较 | 第96-100页 |
| 6.3.2 主客体能量传递速率对热活化敏化发光器件寿命的影响 | 第100-101页 |
| 6.3.3 反向系间窜越速率对热活化敏化发光器件寿命的影响 | 第101-102页 |
| 6.4 本章小结 | 第102-104页 |
| 第七章 结论 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文 | 第117-118页 |
