| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-50页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 二维材料的分类 | 第10-42页 |
| 1.2.1 单质及硼碳氮二维材料 | 第11-30页 |
| 1.2.2 过渡族金属硫族化合物二维材料 | 第30-36页 |
| 1.2.3 非过渡族金属硫族化合物二维材料 | 第36-42页 |
| 1.3 SnSe_x(x=1，2）体系的特点和研究现状 | 第42-48页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第48-50页 |
| 第二章 二维SnSe的CVD制备及其拉曼和层间力学特性 | 第50-68页 |
| 2.1 二维SnSe的CVD制备 | 第50-53页 |
| 2.2 二维SnSe拉曼特性 | 第53-57页 |
| 2.3 二维SnSe的层间作用力特性 | 第57-66页 |
| 2.3.1 接触共振AFM的技术特点 | 第58-60页 |
| 2.3.2 二维SnSe的层间弹性模量研究 | 第60-66页 |
| 2.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第三章 二维SnSe的场效应及栅压调制的热电特性 | 第68-86页 |
| 3.1 二维SnSe场效应性质 | 第68-77页 |
| 3.1.1 二维SnSe的基本场效应特性 | 第68-71页 |
| 3.1.2 二维SnSe场效应迁移率的面内各向异性 | 第71-77页 |
| 3.2 二维SnSe电场调制的热电特性 | 第77-84页 |
| 3.3 本章小结 | 第84-86页 |
| 第四章 二维SnSe_2晶体管的器件特性 | 第86-96页 |
| 4.1 二维SnSe_2的制备和晶体结构 | 第86-88页 |
| 4.2 二维SnSe_2的高开关比晶体管 | 第88-95页 |
| 4.3 本章小结 | 第95-96页 |
| 第五章 总结与展望 | 第96-100页 |
| 参考文献 | 第100-114页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
