GaAs光导开关的耐压研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 光导开关的背景及现状研究 | 第9-11页 |
| 1.3 光导开关的应用前景 | 第11-12页 |
| 1.4 GaAs光导开关的优势 | 第12-13页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第13-15页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第13页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第13-14页 |
| 1.5.3 研究方法 | 第14-15页 |
| 1.6 本章小结 | 第15-17页 |
| 第二章 光导开关的工作原理 | 第17-25页 |
| 2.1 光导开关的整体结构 | 第17页 |
| 2.2 光导开关的芯片结构 | 第17-19页 |
| 2.3 光导开关的工作机理及特点 | 第19-23页 |
| 2.3.1 光导开关线性模式的工作机理 | 第19-20页 |
| 2.3.2 光导开关线性模式的特点 | 第20页 |
| 2.3.3 光导开关非线性模式的工作机理 | 第20-22页 |
| 2.3.4 光导开关非线性模式的特点 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 大功率光导开关的热效应及击穿 | 第25-35页 |
| 3.1 暗态时光导开关的欧姆生热 | 第25-26页 |
| 3.2 导通时光导开关的热耗散 | 第26-28页 |
| 3.3 光导开光的两种击穿方式 | 第28-32页 |
| 3.3.1 光导开关的热击穿 | 第28-31页 |
| 3.3.2 光导开关的高压击穿 | 第31-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-35页 |
| 第四章 光导开关输出功率的研究 | 第35-43页 |
| 4.1 偏置电压对光电导开关的影响 | 第35-36页 |
| 4.2 入射光脉冲对光导开关的影响 | 第36-37页 |
| 4.3 开关的输出功率与入射光斑位置的关系 | 第37-41页 |
| 4.3.1 测试电路 | 第37-38页 |
| 4.3.2 入射光垂直于电极入射 | 第38-40页 |
| 4.3.3 入射光平行与电极入射 | 第40-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 光导开关芯片耐压影响因素的研究 | 第43-53页 |
| 5.1 电极形状对耐压的影响 | 第43-44页 |
| 5.2 电极间距对耐压的影响 | 第44-46页 |
| 5.3 钝化层对光导开关耐压的影响 | 第46-48页 |
| 5.4 器件散热对耐压的影响 | 第48-51页 |
| 5.4.1 耗散热量对光导开关影响 | 第48-49页 |
| 5.4.2 提高器件散热性能的设计 | 第49-51页 |
| 5.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第六章 结论及展望 | 第53-55页 |
| 6.1 结论 | 第53-54页 |
| 6.2 工作展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
