纳米光栅的位相掩膜相干光光刻方法与工艺研究
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 纳米压印光刻 | 第11-16页 |
| 1.2.1 纳米压印技术原理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 纳米压印工艺 | 第12-16页 |
| 第二章 位相掩膜相干光光刻技术 | 第16-27页 |
| 2.1 理论基础 | 第16-22页 |
| 2.1.1 相干光的概念 | 第16-17页 |
| 2.1.2 位相掩膜光刻技术基本原理 | 第17-19页 |
| 2.1.3 远场干涉与近场干涉 | 第19-22页 |
| 2.2 光栅占空比的调节 | 第22-27页 |
| 2.2.1 光栅结构的物理特性 | 第22-23页 |
| 2.2.2 曝光显影法调节光栅的占空比 | 第23-25页 |
| 2.2.3 遮蔽沉积法调节光栅的占空比 | 第25-27页 |
| 第三章 周期性纳米光栅的位相掩膜相干光光刻的制备 | 第27-45页 |
| 3.1 光刻胶材料及光刻工艺 | 第27-33页 |
| 3.1.1 光刻胶的性质 | 第27页 |
| 3.1.2 光刻工艺 | 第27-30页 |
| 3.1.3 刻蚀工艺 | 第30-33页 |
| 3.2 位相掩膜的制备工艺 | 第33-35页 |
| 3.3 周期性纳米光栅的制备工艺 | 第35-43页 |
| 3.4 结果及其分析 | 第43-45页 |
| 第四章 光刻胶曝光场强的模拟及其分析 | 第45-61页 |
| 4.1 comsol模拟软件简介 | 第45-47页 |
| 4.2 光刻胶曝光场强的模拟 | 第47-60页 |
| 4.2.1 场强周期与衍射级次之间的关系 | 第47-48页 |
| 4.2.2 光刻胶曝光的场强分布 | 第48-60页 |
| 4.3 结果及其分析 | 第60-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表与专利申请 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
