| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物的基本特性与应用 | 第11-22页 |
| 1.1.1 Ⅲ族氮化物的晶体结构 | 第11-16页 |
| 1.1.2 GaN的基本性质 | 第16-18页 |
| 1.1.3 InGaN合金的物性和应用 | 第18-22页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物的外延生长技术 | 第22-32页 |
| 1.2.1 有机金属化学气相沉积(MOCVD)外延生长基础 | 第23-25页 |
| 1.2.2 侧向外延生长技术(ELO) | 第25-30页 |
| 1.2.3 InGaN/GaN异质结构外延生长 | 第30-32页 |
| 1.3 阴极射线荧光(Cathodoluminescence,CL)在Ⅲ族氮化物材料表征中的应用 | 第32-34页 |
| 1.4 本文的研究内容与结构 | 第34-37页 |
| 第二章 MOCVD侧向外延生长的动力学研究 | 第37-45页 |
| 2.1 引言 | 第37-38页 |
| 2.2 Ⅲ族氮化物MOCVD生长的动力学过程 | 第38-41页 |
| 2.3 侧向外延生长的扩散模型 | 第41-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 侧向外延生长中InGaN/GaN异质结构形貌的控制研究 | 第45-67页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 材料形貌对图形窗口取向的依赖关系 | 第46-56页 |
| 3.2.1 图形窗口的模板制备与InGaN/GaN异质结构的ELO生长 | 第46-48页 |
| 3.2.2 InGaN/GaN异质结构的形貌表征 | 第48-54页 |
| 3.2.3 材料形貌与图形窗口取向的依赖关系讨论 | 第54-56页 |
| 3.3 材料形貌对图形窗口尺寸的依赖关系 | 第56-64页 |
| 3.3.1 不同尺度模板的制备及生长参数调控 | 第56-58页 |
| 3.3.2 两个典型方向不同尺寸的材料形貌对比 | 第58-63页 |
| 3.3.3 材料形貌与图形窗口尺寸及生长时间的依赖关系讨论 | 第63-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-67页 |
| 第四章 侧向外延生长In_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中In组份的空间分布 | 第67-107页 |
| 4.1 引言 | 第67-68页 |
| 4.2 微米尺寸In_xGa_(1-x)N/GaN异质结构线中In组份的分布 | 第68-93页 |
| 4.2.1 三种典型图形窗口取向的In组份对比 | 第69-81页 |
| 4.2.2 位错对InGaN/GaN异质结构中In组份空间分布的影响 | 第81-93页 |
| 4.3 InGaN/GaN多量子阱纳米线中的In组份分布 | 第93-104页 |
| 4.3.1 沿两个基准方向生长的纳米线中的In组份对比 | 第93-99页 |
| 4.3.2 晶面极性对半环形纳米线中In组份空间分布的影响 | 第99-104页 |
| 4.4 本章小结 | 第104-107页 |
| 第五章 InGaN/GaN多量子阱纳米线发光器件 | 第107-113页 |
| 5.1 引言 | 第107-108页 |
| 5.2 纳米线LED的制备 | 第108-109页 |
| 5.3 纳米线LED的光电特性 | 第109-112页 |
| 5.4 本章小结 | 第112-113页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第113-117页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第113-114页 |
| 6.2 研究展望 | 第114-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-143页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章 | 第143-145页 |
