太阳能硅片电磨削多线切割技术基础研究
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
注释表 | 第16-17页 |
第一章 绪论 | 第17-30页 |
1.1 选题背景及意义 | 第17-18页 |
1.2 硅片切割国内外研究现状及发展趋势 | 第18-27页 |
1.2.1 国内外研究现状 | 第18-26页 |
1.2.2 硅片切割的发展趋势及存在的问题 | 第26-27页 |
1.3 课题来源及研究意义 | 第27-28页 |
1.4 本文研究内容 | 第28-30页 |
第二章 太阳能级硅电化学作用机制 | 第30-49页 |
2.1 太阳能级硅材料特性 | 第30-32页 |
2.2 硅的电化学反应机理研究 | 第32-47页 |
2.2.1 阳极氧化理论基础 | 第32-33页 |
2.2.2 实验设计及准备 | 第33-34页 |
2.2.3 实验设备及检测设备 | 第34-37页 |
2.2.4 测试结果与分析 | 第37-47页 |
2.3 本章小结 | 第47-49页 |
第三章 电磨削多线切割材料去除复合作用机制 | 第49-73页 |
3.1 纳米压痕分子动力学仿真 | 第49-61页 |
3.1.1 分子动力学原理 | 第49-54页 |
3.1.2 仿真模型的建立 | 第54-56页 |
3.1.3 仿真结果与分析 | 第56-61页 |
3.2 硅片表面纳米压痕实验 | 第61-66页 |
3.2.1 实验设备及样品制备 | 第62-64页 |
3.2.2 实验结果 | 第64-66页 |
3.3 电磨削多线切割复合作用机制 | 第66-71页 |
3.3.1 机械磨削作用机理 | 第66-70页 |
3.3.2 机械磨削和电化学复合作用机制 | 第70-71页 |
3.4 本章小结 | 第71-73页 |
第四章 电磨削多线切割工程应用关键技术研究 | 第73-91页 |
4.1 进电技术 | 第73-80页 |
4.1.1 阳极进电 | 第73-76页 |
4.1.2 阴极进电 | 第76-80页 |
4.2 半导体电解电源技术 | 第80-85页 |
4.2.1 换向电路设计 | 第81-82页 |
4.2.2 电流检测模块 | 第82-83页 |
4.2.3 控制器选型 | 第83-84页 |
4.2.4 电流调节 | 第84-85页 |
4.3 远程监控技术 | 第85-89页 |
4.3.1 数据通讯与访问程序设计 | 第86-87页 |
4.3.2 C/S客户端设计 | 第87-89页 |
4.4 本章小结 | 第89-91页 |
第五章 试验系统的建立 | 第91-114页 |
5.1 硅片制造一般工艺过程 | 第91-101页 |
5.1.1 来料检验 | 第91-94页 |
5.1.2 配棒和粘棒 | 第94-97页 |
5.1.3 切片 | 第97-99页 |
5.1.4 清洗和检验 | 第99-101页 |
5.2 游离磨料切割试验系统的建立 | 第101-108页 |
5.2.1 NTC 442DW试验系统 | 第102-104页 |
5.2.2 HCT B5试验系统 | 第104-108页 |
5.3 固结磨料切割多晶试验系统的建立 | 第108-113页 |
5.3.1 单丝线锯电磨削切割试验系统 | 第109-110页 |
5.3.2 金刚线电磨削多线切割试验系统 | 第110-113页 |
5.4 本章小结 | 第113-114页 |
第六章 多晶硅片电磨削切割试验 | 第114-147页 |
6.1 游离磨料切割多晶试验 | 第114-137页 |
6.1.1 NTC 442 试验结果与分析 | 第114-124页 |
6.1.2 HCT B5切割点杂多晶试验结果分析 | 第124-130页 |
6.1.3 HCT B5结构线试验结果与分析 | 第130-137页 |
6.2 固结磨料切割多晶试验 | 第137-144页 |
6.2.1 金刚线单丝线锯试验结果与分析 | 第137-140页 |
6.2.2 金刚线多线切割试验结果与分析 | 第140-144页 |
6.3 本章小结 | 第144-147页 |
第七章 总结与展望 | 第147-151页 |
7.1 论文研究内容总结 | 第147-149页 |
7.2 论文主要创新点 | 第149页 |
7.3 未来研究展望 | 第149-151页 |
参考文献 | 第151-158页 |
致谢 | 第158-159页 |
在学期间发表学术论文及研究成果 | 第159-160页 |
攻读博士学位期间发表(录用)论文情况 | 第159页 |
授权发明专利及获奖情况 | 第159页 |
攻读博士学位期间参加科研项目情况 | 第159-160页 |
附录 电源检测报告 | 第160-164页 |