| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 SiCN研究现状 | 第9-17页 |
| 1.2.1 SiCN薄膜的制备方法 | 第10-14页 |
| 1.2.2 SiCN薄膜的特性 | 第14-17页 |
| 1.3 本论文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 硅碳氮薄膜制备方案与表征方法 | 第19-31页 |
| 2.1 硅碳氮薄膜制备的相关原理 | 第19-23页 |
| 2.1.1 直流二极溅射 | 第19-20页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第20-21页 |
| 2.1.3 非平衡磁控溅射 | 第21页 |
| 2.1.4 反应磁控溅射 | 第21-22页 |
| 2.1.5 射频溅射 | 第22-23页 |
| 2.2 硅碳氮薄膜的制备 | 第23-27页 |
| 2.2.1 方案设计 | 第23-24页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第24-25页 |
| 2.2.3 制备硅碳氮薄膜的工艺流程 | 第25-27页 |
| 2.3 样品表征方法 | 第27-30页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第27页 |
| 2.3.2 傅里叶红外光谱 | 第27页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.3.4 能量色散谱 | 第28页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 | 第28页 |
| 2.3.6 椭圆偏振谱 | 第28-29页 |
| 2.3.7 紫外-可见分光光度计 | 第29页 |
| 2.3.8 光致发光谱 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 Si源及C源功率对硅碳氮薄膜的影响 | 第31-51页 |
| 3.1 薄膜成分、形貌及结构 | 第31-42页 |
| 3.1.1 薄膜的成分 | 第31-35页 |
| 3.1.2 薄膜形貌 | 第35-37页 |
| 3.1.3 薄膜结构 | 第37-42页 |
| 3.2 薄膜沉积速率 | 第42-43页 |
| 3.3 薄膜光学特性 | 第43-48页 |
| 3.4 薄膜的发光 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 Si源功率及N源流量对硅碳氮薄膜的影响 | 第51-67页 |
| 4.1 薄膜成分、形貌及结构 | 第51-59页 |
| 4.1.1 薄膜的成分 | 第51-55页 |
| 4.1.2 薄膜形貌 | 第55-56页 |
| 4.1.3 薄膜结构 | 第56-59页 |
| 4.2 薄膜沉积速率 | 第59-60页 |
| 4.3 薄膜光学特性 | 第60-64页 |
| 4.4 薄膜的发光 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 工作总结 | 第67-68页 |
| 5.1.1 不同Si源、C源功率对SiCN薄膜的影响 | 第67页 |
| 5.1.2 不同Si源功率、N源流量对SiCN薄膜的影响 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |