| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-27页 |
| 2.1 非晶氧化物半导体材料 | 第13-17页 |
| 2.1.1 非晶氧化物半导体材料基础 | 第13-16页 |
| 2.1.2 非晶氧化物半导体材料研究进展 | 第16-17页 |
| 2.2 非晶氧化物薄膜晶体管原理及性能 | 第17-25页 |
| 2.2.1 薄膜晶体管结构 | 第17-18页 |
| 2.2.2 薄膜晶体管原理 | 第18-19页 |
| 2.2.3 薄膜晶体管性能参数 | 第19-22页 |
| 2.2.4 薄膜晶体管的稳定性 | 第22-25页 |
| 2.3 非晶氧化物半导体异质结测定 | 第25页 |
| 2.4 本文选题依据和研究内容 | 第25-27页 |
| 第三章 实验方法及原理 | 第27-35页 |
| 3.1 磁控溅射镀膜技术 | 第27-31页 |
| 3.1.1 磁控溅射原理 | 第27-30页 |
| 3.1.2 磁控溅射设备 | 第30-31页 |
| 3.2 实验过程 | 第31-32页 |
| 3.2.1 靶材制备 | 第31-32页 |
| 3.2.2 衬底清洗 | 第32页 |
| 3.2.3 溅射镀膜 | 第32页 |
| 3.3 性能表征分析 | 第32-35页 |
| 第四章 非晶TiZnSnO薄膜生长及其性能研究 | 第35-47页 |
| 4.1 Ti含量对TZTO薄膜沉积质量的影响 | 第35-38页 |
| 4.2 Ti含量对TZTO薄膜物相结构的影响 | 第38-39页 |
| 4.3 不同Ti含量TZTO薄膜中的元素分布 | 第39-40页 |
| 4.4 Ti含量对TZTO薄膜中缺陷浓度的影响 | 第40-43页 |
| 4.5 Ti含量对TZTO薄膜光学特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.6 本章小结 | 第44-47页 |
| 第五章 TiZnSnO薄膜晶体管制备及其性能研究 | 第47-59页 |
| 5.1 TZTO-TFT器件结构及制备 | 第47-49页 |
| 5.1.1 SiO_2/Si衬底TFT器件结构及制备 | 第47-48页 |
| 5.1.2 玻璃衬底TFT器件结构及制备 | 第48-49页 |
| 5.2 SiO_2/Si衬底TZTO-TFT器件性能测试 | 第49-55页 |
| 5.2.1 TZTO-TFT器件电学性能 | 第49-50页 |
| 5.2.2 沟道尺寸对TZTO-TFT电学性能的影响 | 第50-51页 |
| 5.2.3 Ti含量对TZTO-TFT电学性能的影响 | 第51-53页 |
| 5.2.4 Ti含量对TZTO-TFT器件稳定性的影响 | 第53-55页 |
| 5.3 玻璃衬底TZTO-TFT器件性能测试 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 TiZnSnO/Si异质结能带结构研究 | 第59-67页 |
| 6.1 TZTO/Si异质结制备 | 第59-60页 |
| 6.2 TZTO/Si异质结带阶测定 | 第60-64页 |
| 6.3 本章小结 | 第64-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-69页 |
| 7.1 全文总结 | 第67-68页 |
| 7.2 论文创新点 | 第68页 |
| 7.3 研究展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 个人简历 | 第79-81页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第81页 |
