| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-40页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 黑磷的结构和性质 | 第11-29页 |
| 1.2.1 黑磷晶体制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2.2 黑磷能带结构 | 第13-15页 |
| 1.2.3 电学特性 | 第15-23页 |
| 1.2.4 光电特性 | 第23-25页 |
| 1.2.5 力学特性 | 第25-26页 |
| 1.2.6 黑磷变质 | 第26-27页 |
| 1.2.7 蓝磷 | 第27-29页 |
| 1.3 本论文所用实验设备 | 第29-38页 |
| 1.3.1 原子力显微镜 | 第29-30页 |
| 1.3.2 表面形貌仪 | 第30-31页 |
| 1.3.3 拉曼光谱 | 第31-32页 |
| 1.3.4 电子束曝光 | 第32-33页 |
| 1.3.5 紫外光学曝光 | 第33-35页 |
| 1.3.6 薄膜沉积设备 | 第35-36页 |
| 1.3.7 反应离子刻蚀 | 第36-37页 |
| 1.3.8 四探针电学测试设备 | 第37-38页 |
| 1.4 本论文的研究内容和意义 | 第38-40页 |
| 第二章 黑磷的导电性能调控及平面逻辑器件 | 第40-56页 |
| 2.1 引言 | 第40-43页 |
| 2.2 器件制备过程 | 第43-44页 |
| 2.3 黑磷导电性质调控 | 第44-50页 |
| 2.4 黑磷逻辑器件 | 第50-55页 |
| 2.4.1 栅极可控二极管 | 第50-51页 |
| 2.4.2 逻辑反相器 | 第51-53页 |
| 2.4.3 双向整流器 | 第53-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第三章 过曝PMMA调控其它二维半导体材料电子器件特性 | 第56-61页 |
| 3.1 引言 | 第56页 |
| 3.2 器件制备过程 | 第56-57页 |
| 3.3 电学表征 | 第57-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 双栅调控黑磷单极性晶体管 | 第61-69页 |
| 4.1 引言 | 第61-62页 |
| 4.2 器件制备过程 | 第62-63页 |
| 4.3 双向整流器 | 第63-64页 |
| 4.4 双向整流器开关 | 第64-66页 |
| 4.5 极性可控晶体管 | 第66-68页 |
| 4.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 黑磷石墨烯异质结构电学性质 | 第69-74页 |
| 5.1 引言 | 第69页 |
| 5.2 器件制备过程 | 第69-70页 |
| 5.3 电学性能表征 | 第70-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-86页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |